一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料制造技术

本发明专利技术公开了一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，本发明专利技术涉及薄膜新材料技术领域。该高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，通过将绝缘衬底层外侧依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层，并通过贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附，保证了薄膜新材料热稳定性，同时通过改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到，通过改性氧化石墨烯由氧化石墨烯置于去离子水中得到，将改性氧化石墨烯对薄膜进行改性，增强了所制备的改性薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料


[0001]本专利技术涉及薄膜新材料
，具体为一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料。

技术介绍

[0002]随着电子产品的快速发展，电路集成正面临着多功能、小型化、高速度、低功耗和高可靠性发展趋势带来的严峻挑战，铌酸锂作为一种性能优异的铁电单晶半导体，因其具有良好的光电、声光、介电、热电、压电、铁电、双折射、非线性等物理特性及耐高温、抗腐蚀、易加工、机械性能稳定等特性，被广泛应用于滤波器、光电调制器、光波导、倍频转换器、全息存储等方面；
[0003]随着电子产品的轻薄化、小型化、多功能化及高容量的发展，要求封装体厚度更薄、尺寸更小、引脚更多、密度更高，因此对封装结构和封装技术提出了挑战，传统的薄膜封装材料，通常由无机物薄膜与有机聚合物薄膜经交替层叠形成的封装结构，采用三层或三层以上的结构，其中有机聚合物薄膜用于降低应力，同时具有包覆颗粒的功能，但无机物薄膜与有机聚合物薄膜普遍表现的特征是热稳定性较差，且缺少一定的阻隔性、阻燃性。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，解决了稳定性以及阻隔性、阻燃性较差的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，包括绝缘衬底层，其特征在于：
[0006]所述绝缘衬底层上，依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层；
[0007]所述贵金属薄膜层为金或铂的一种，通过表面蒸镀得绝缘衬底层表面处理材料；
[0008]所述改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到。
[0009]优选的，所述贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附。
[0010]优选的，所述贵金属薄膜层表面蒸镀的方式为电子束加热，通过由热阴极发射的电子在电场作用下，获得动能轰击到作为阳极的蒸发材料表面，将其动能转化为加热材料所需的内能，而使材料蒸发；使贵金属材料表面局部的区域温度达到3000℃～4000℃，保证蒸发材料表面的高蒸发速率，保证了贵金属薄膜层的表面蒸镀效果。
[0011]优选的，所述电极层由表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵和单体乙撑二氧噻吩为原料电解制备。
[0012]优选的，所述绝缘衬底层、贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层厚度均大于0.4μm。
[0013]优选的，所述改性氧化石墨烯由氧化石墨烯置于去离子水中得到，将改性氧化石
墨烯对薄膜进行改性，增强了所制备的改性薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。
[0014]有益效果
[0015]本专利技术提供了一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料。与现有技术相比具备以下有益效果：
[0016](1)、该高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，通过将绝缘衬底层外侧依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层，并通过贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附，保证了薄膜新材料热稳定性，同时通过改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到，通过改性氧化石墨烯由氧化石墨烯置于去离子水中得到，将改性氧化石墨烯对薄膜进行改性，增强了所制备的改性薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。
附图说明
[0017]图1为本专利技术薄膜新材料示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]请参阅图1，本专利技术提供两种技术方案，具体包括以下实施例：
[0020]实施例一：
[0021]一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，包括绝缘衬底层：绝缘衬底层上，依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层；
[0022]贵金属薄膜层为金或铂的一种，通过表面蒸镀得绝缘衬底层表面处理材料；
[0023]改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到；
[0024]本专利技术实施例中，贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附；
[0025]本专利技术实施例中，贵金属薄膜层表面蒸镀的方式为电子束加热，通过由热阴极发射的电子在电场作用下，获得动能轰击到作为阳极的蒸发材料表面，将其动能转化为加热材料所需的内能，而使材料蒸发；使贵金属材料表面局部的区域温度达到3000℃～4000℃，保证蒸发材料表面的高蒸发速率，保证了贵金属薄膜层的表面蒸镀效果；
[0026]本专利技术实施例中，电极层由表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵和单体乙撑二氧噻吩为原料电解制备；
[0027]本专利技术实施例中，绝缘衬底层、贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层厚度均大于0.4μm；
[0028]本专利技术实施例中，改性氧化石墨烯由氧化石墨烯置于去离子水中得到，将改性氧化石墨烯对薄膜进行改性，增强了所制备的改性薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能；
[0029]本专利技术实施例中，通过将绝缘衬底层外侧依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层，并通过贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附，保证了薄膜新材料热稳定性，同时通过改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到，通过改性氧化石墨烯由氧化石墨烯置于去离子水中得到，将改性氧化石墨烯对薄膜进行改性，增强了所制备的改性薄膜材料的阻隔性能和阻燃性能。
[0030]实施例二：
[0031]一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，包括绝缘衬底层：绝缘衬底层上，依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及外衬层；
[0032]贵金属薄膜层为金或铂的一种，通过表面蒸镀得绝缘衬底层表面处理材料；
[0033]改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到；
[0034]本专利技术实施例中，贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附；
[0035]本专利技术实施例中，贵金属薄膜层表面蒸镀的方式为电子束加热，通过由热阴极发射的电子在电场作用下，获得动能轰击到作为阳极的蒸发材料表面，将其动能转化为加热材料所需的内能，而使材料蒸发；使贵金属材料表面局部的区域温度达到3000℃～4000℃，保证本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，包括绝缘衬底层，其特征在于：所述绝缘衬底层上，依次叠层设置为贵金属薄膜层、电极层以及改性防护层；所述贵金属薄膜层为金或铂的一种，通过表面蒸镀得绝缘衬底层表面处理材料；所述改性防护层由改性氧化石墨烯、聚合物二者结合得到。2.根据权利要求1所述的一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，其特征在于：所述贵金属薄膜层通过表面蒸镀，对表面处理材料注入氢离子，抽真空后向管式炉中通入氢气，同时对其进行加热退火处理，使得贵金属薄膜层表面的贵金属能够对氢离子获得更好吸附。3.根据权利要求2所述的一种高密度半导体封装用晶圆UV薄膜新材料，其特征在于：所述贵金属薄膜层表面蒸镀的方式为电子束加热，通过由热阴极发射的电子在电场作用下，获得动能轰击到作为阳极的蒸发材料表...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄斌成，都成，刘小明，
申请(专利权)人：深圳市鼎力盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：