凸块的成型方法技术

本发明专利技术揭示了一种凸块的成型方法，包括以下步骤：提供基板，基板的上表面形成有焊盘和钝化层，焊盘自钝化层上的钝化层开口向外暴露；在钝化层及焊垫的表面生成金属层；通过光刻胶在金属层的表面形成光阻层；曝光显影工艺，光阻层对应凸块生长区域形成为开窗区域，光阻层对应非凸块生长区域形成有光刻胶凹槽。非凸块生长区域形成光刻胶凹槽，降低了光刻胶的内应力，减缓了光刻胶和金属层之间产生缝隙的可能性，电镀凸块时，有效避免渗镀现象。有效避免渗镀现象。有效避免渗镀现象。

【技术实现步骤摘要】
凸块的成型方法


[0001]本专利技术涉及晶圆级封装
，尤其涉及一种凸块的成型方法。

技术介绍

[0002]IC芯片先进封装主要是指倒装(FlipChip)，晶圆级封装(Waferlevelackage)，2.5D封装(interposer，RDL等)，3D封装(TSV)等封装技术。凸块(Bump)作为先进封装的关键组件，其制作技术(Bumping)更是高端先进封装的重要代表技术之一。极细的凸块间距、极高的脚密度需求，对凸块的散热能力、电性能、可靠性均提出了更高的需求。
[0003]目前，晶圆凸块制作技术中，以光刻配合电镀沉积方式最为常见。但此类电镀凸块结构在制造过程中经常会出现渗镀异常(Under plating)，影响后续应用中的导电性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种凸块的成型方法，以解决现有技术中渗镀异常的技术问题。
[0005]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种凸块的成型方法，包括以下步骤：提供基板，基板的上表面形成有焊盘和钝化层，所述焊盘自钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种凸块的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板，所述基板的上表面形成有焊盘和钝化层，所述焊盘自钝化层上的钝化层开口向外暴露；在所述钝化层及焊垫的表面生成金属层；通过光刻胶在所述金属层的表面形成光阻层；曝光显影工艺，所述光阻层对应凸块生长区域形成为开窗区域，所述光阻层对应非凸块生长区域形成有光刻胶凹槽；在所述开窗区域生成所述凸块；去除所述开窗区域之外的光阻层。2.根据权利要求1所述的成型方法，其特征在于，所述曝光显影工艺包括通过第一掩模版进行的第一次曝光工艺，所述第一掩模版包括有效图案及邻近所述有效图案的无效图案；第一次曝光工艺后，所述光阻层对应所述有效图案处形成有效区域，对应所述无效图案处形成无效区域。3.根据权利要求2所述的成型方法，其特征在于，所述无效图案为间隔和/或连续的直线和/或曲线，所述有效图案和无效图案的间距为2～100um。4.根据权利要求2所述的成型方法，其特征在于，所述曝光显影工艺包括显影工艺，所述光阻层的有效区域经显影形成为开窗区域，所述无效区域经显影形成光刻胶凹槽。5.根据权利要求4所述的成型方法，其特征在于，所述无效图案的线宽细于所述有效图案，所述无效图案的线宽设置为：根据选用的光刻胶选定线宽，以保证无效区域在显影工艺中不被显开且...

【专利技术属性】
技术研发人员：王爱君，张华，
申请(专利权)人：合肥颀中科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：