半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体制造装置，包括壳体、承载机构、辅助热源和气流驱动机构，壳体具有工作腔；承载机构设置在工作腔的底部以用于支撑晶圆，承载机构上设置有加热单元；辅助热源设置在承载机构的上方；气流驱动机构具有与工作腔连通的风道和驱动气流从工作腔朝风道流动的驱动件。本发明专利技术在承载机构的上方还设置有辅助热源，通过辅助热源向工作腔靠近顶部区域的空间加热，使从光刻胶膜挥发出来的气体能够一直维持在气态状态，便于向外抽离，避免了气体温度降低产生冷凝后向光刻胶膜的滴落，保证了光刻胶膜品质的单一，避免了光刻胶膜厚度的不均，在后续的显影工艺中能够有效的降低显影不良问题的出现频率，提升了产品的品质。提升了产品的品质。提升了产品的品质。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是一种半导体制造装置。

技术介绍

[0002]在芯片封装的过程中需要对芯片的焊盘进行重新布置，因此需要用到再布线工艺以生成再布线结构，在再布线工艺过程中需要在介电层中形成与芯片的焊盘电性连接的图案化金属层。
[0003]曝光显影是生成图案化金属层的关键步骤，在曝光显影前需要在晶圆的表面涂覆光敏材料的光刻胶并形成光刻胶膜。在通过涂胶工序形成光刻胶膜后,使用曝光设备(步进式光刻机使光穿过包含电路图形的光罩,将电路印在晶圆上。这个过程叫做“曝光”。曝光完成后将曝光后的光刻胶膜清洗掉这个过程称为“显影”，显影后形成的开窗内生成图案化金属层。
[0004]为了获得更高质量的图案化金属层,光刻胶膜一般薄且均匀，现有技术中的光刻胶膜一般设置都在5μm厚，现有技术中发现在对这种高质量图案化金属层的制造过程中经常容易出现显影不良的问题，显影不良后会影响最终的图案化金属层的品质，严重的会使晶圆中大面积的出现废品。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种半导体制造装置，以解决现有技术中的不足，它能够避免了气体温度降低产生冷凝后向光刻胶膜的滴落，保证了光刻胶膜品质的单一，避免了光刻胶膜厚度的不均，在后续的显影工艺中能够有效的降低显影不良问题的出现频率，提升了产品的品质。
[0006]本专利技术提供了一种半导体制造装置，包括
[0007]壳体，具有工作腔；
[0008]承载机构，设置在所述工作腔的底部以用于支撑晶圆，所述承载机构上设置有加热单元；
[0009]辅助热源，设置在所述承载机构的上方；
[0010]气流驱动机构，具有与所述工作腔连通的风道和驱动气流从工作腔朝风道流动的驱动件。
[0011]进一步的，所述辅助热源具有板状结构，在竖向方向上，所述辅助热源与所述承载机构位置相对且所述辅助热源的尺寸不小于所述承载机构的尺寸。
[0012]进一步的，所述辅助热源包括蓄热盘，所述蓄热盘为金属件。
[0013]进一步的，所述蓄热盘固定在所述壳体上并位于所述工作腔的顶部。
[0014]进一步的，蓄热盘具有若干与所述风道连通的分风风道，所述分风风道具有设置在所述蓄热盘朝向所述承载机构一侧的分风道进口。
[0015]进一步的，所述气流驱动机构具有设置在所述壳体外的风道壳体，所述风道设置
在所述风道壳体内，所述风道同时与若干所述分风风道连通。
[0016]进一步的，所述蓄热盘具有本体部、设置在本体部内的过渡腔和设置在本体部顶壁并向外暴露所述过渡腔的蓄热盘开口，所述分风风道设置在所述本体部的底壁并沿竖向方向贯穿所述底壁，所述风道的进口与所述蓄热盘开口位置相对。
[0017]进一步的，所述蓄热盘开口设置在所述蓄热盘顶壁的中心位置。
[0018]进一步的，随远离所述蓄热盘中心位置所述分风风道的密度降低。
[0019]进一步的，所述蓄热盘横截面呈圆形，若干分风风道沿蓄热盘的径向方向排列以形成线性阵列，若干线性阵列以所述蓄热盘的中心呈环形排列。
[0020]与现有技术相比，本申请实施例中在承载机构的上方还设置有辅助热源，通过辅助热源向工作腔靠近顶部区域的空间加热，使从光刻胶膜挥发出来的气体能够一直维持在气态状态，最后在气流驱动机构的作用下向外抽离，从而避免了气体温度降低产生冷凝后向光刻胶膜的滴落，保证了光刻胶膜品质的单一，避免了光刻胶膜厚度的不均，在后续的显影工艺中能够有效的降低显影不良问题的出现频率，提升了产品的品质。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例公开的半导体制造装置的第一结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例公开的半导体制造装置的第二结构示意图；
[0023]图3是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中辅助热源的结构示意图；
[0024]图4是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中承载盘的内部结构示意图；
[0025]图5是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中气流循环机构的结构示意图；
[0026]图6是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中承载机构的结构示意图；
[0027]图7是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中承载机构的主视图；
[0028]图8是本专利技术实施例公开的半导体制造装置中调节件的结构示意图；
[0029]附图标记说明：1
‑
壳体，10
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工作腔，
[0030]2‑
承载机构，21
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承载盘，210
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承载面，22
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调节件，221
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支撑端，23
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定位环，24
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顶针，
[0031]3‑
辅助热源，31
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蓄热盘，310
‑
分风风道，311
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分风道进口，312
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过渡腔，313
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蓄热盘开口，
[0032]4‑
气流驱动机构，40
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风道，41
‑
风道壳体。
具体实施方式
[0033]下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。
[0034]本专利技术的实施例：公开了一种半导体制造装置，该半导体制造装置作为加热装置，可以用于固化光刻胶也可以用于湿加工过过后的烘烤去水汽。在半导体的制造过程中，使用的涂胶机、显影机等机台不可避免会用到烘烤装置，如在芯片封装的过程中需要将晶圆置于烘烤装置中，通过加热装置的适当温度将晶圆上的光刻胶体等进行物理或者化学性的转变，例如，热固化。同样在制造过程中当经历过湿加工后如在经历过水洗、槽体浸泡等液体后都需要去水汽，此时需要加热装置对晶圆烘烤从而去除水分以便于下一步工艺操作。
[0035]在本实施例以封装过后对光刻胶膜的加热固化为例展开描述，如图1
‑
8所示，本专利技术实施例公开的半导体制造装置包括壳体1、承载机构2、辅助热源3和气流驱动机构4；所述壳体1具有工作腔10，在对晶圆进行加热烘烤的过程中将晶圆放置在所述工作腔10内。可以理解的是为了方便的放置晶圆，所述壳体1上设置有向外暴露所述工作腔10的门体开口，所述半导体制造装置包括转动安装在所述壳体1上并用于遮盖所述门体开口的门体。
[0036]所述承载机构2设置在所述工作腔10的底部以用于支撑晶圆，所述承载机构2上设置有加热单元；加热单元用于加热晶圆，在具体实施例中所述承载机构2可以整体就是一个加热盘，晶圆放置在加热盘上然后被加热。在本实施例中所述承载机构2包括承载盘21，所述承载盘21为金属件，所述加热单元通过加热承载盘21从而向外辐射热量进而加热晶圆，所述承载盘21可以是铜盘。
[0037]所述辅助热源3设置在所述承载机构2的上方；辅助机构3的设置能够保证工作腔10内靠近顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，其特征在于：包括壳体，具有工作腔；承载机构，设置在所述工作腔的底部以用于支撑晶圆，所述承载机构上设置有加热单元；辅助热源，设置在所述承载机构的上方；气流驱动机构，具有与所述工作腔连通的风道和驱动气流从工作腔朝风道流动的驱动件。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：所述辅助热源具有板状结构，在竖向方向上，所述辅助热源与所述承载机构位置相对且所述辅助热源的尺寸不小于所述承载机构的尺寸。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于：所述辅助热源包括蓄热盘，所述蓄热盘为金属件。4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于：所述蓄热盘固定在所述壳体上并位于所述工作腔的顶部。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于：蓄热盘具有若干与所述风道连通的分风风道，所述分风风道具有设置在所述蓄热盘朝向所述承载机构一侧的分风道进口。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭振，
申请(专利权)人：合肥颀中科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：