【技术实现步骤摘要】
适于高粘度光阻的缓冲装置与光阻供液系统
[0001]本专利技术涉及半导体生产
,特别涉及一种适于高粘度光阻的缓冲装置与光阻供液系统。
技术介绍
[0002]光刻是半导体集成电路生产中的一项重要工艺,光刻制造工艺通常先在晶圆上覆盖一层光阻,再通过光源透过一掩膜板照射在光阻上使其曝光,特定图案部分的光阻因为曝光而变硬或变软,最后利用显影液将其显影得到相应的结构。光阻的涂布均匀性及附着性都会对整体光刻制造工艺影响很大,经现场验证,光阻中的气泡会造成严重的涂布异常,造成产品良率低下,而高粘度光阻在供液过程中的气泡问题更是难以处理。
[0003]现有的缓冲装置通常采用加压装置将储液装置中的光阻先加压输送至缓冲装置,再通过光阻泵将缓冲装置中的光阻自相应的管路输运至喷嘴处进行光阻涂布。上述加压装置所使用高压气体会导致光阻内产生较多气泡,进而影响光阻涂布的均匀稳定性,也会导致涂过程中出现压力异常报警,影响生产。鉴于此,有必要提供一种新的适于高粘度光阻的缓冲装置与光阻供液系统。
技术实现思路
[0004]本专利技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适于高粘度光阻的缓冲装置,包括储液罐、连通所述储液罐的进液管与出液管,所述储液罐包括底壁与侧壁,其特征在于:所述缓冲装置还包括设置在所述储液罐内的导引板,所述导引板呈倾斜设置,所述进液管自上向下延伸至所述导引板下方;所述导引板形成有排气孔。2.根据权利要求1所述的缓冲装置,其特征在于:所述导引板设置呈平板状,且所述导引板相对水平方向的倾斜角度设置为12~25
°
。3.根据权利要求1所述的缓冲装置,其特征在于:所述导引板还开设有进液孔,所述进液管自上向下穿过所述进液孔,所述进液孔的高度低于所述排气孔的高度。4.根据权利要求3所述的缓冲装置,其特征在于:所述导引板在水平面的正投影与所述底壁在水平面的正投影相重合;所述进液孔邻近所述导引板位置最低的边缘设置,所述排气孔邻近所述导引板位置最高的边缘设置。5.根据权利要求1所述的缓冲装置,其特征在于:所述缓冲装置还包括设置在所述导引板下方的缓冲板,所述进液管的末端位于所述缓冲板的正上方。6.根据权利要求5所述的缓冲装置,其特征在于:所述缓冲板上开设有若干滤孔且所述缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭振,
申请(专利权)人:合肥颀中科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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