对称结构多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法技术

本发明专利技术提供了一种对称结构多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法，包括如下步骤：1）改变多层膜系中的铁磁层的厚度，减小其磁各向异性参数K，进而增大多层膜热力学稳定参数κ；2）对所述多层膜系施加磁场使其生成磁性斯格明子，所述磁场的方向不平行所述多层膜系。本发明专利技术的调控方法在对称结构多层膜系中形成了室温的磁性斯格明子。室温的磁性斯格明子。室温的磁性斯格明子。

【技术实现步骤摘要】
对称结构多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法


[0001]本专利技术涉及多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法，具体涉及一种对称结构多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法。

技术介绍

[0002]信息技术的迅猛发展对信息的存储和调控提出了更高的要求。磁性斯格明子（Skyrmion）是一种具有非易失性的纳米量级磁结构。磁性斯格明子的自旋排列使得驱动磁性斯格明子状态改变的电流密度比驱动传统磁畴低5
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6个量级，因此有望作为信息载体应用于高密度、高速度、低能耗磁信息存储器件中。
[0003]薄膜材料体系因其能在室温条件下形成磁性斯格明子，且薄膜参数易于调控，方便被加工成薄膜器件而被认为是具有实用化前景的磁性斯格明子材料体系。目前薄膜材料体系的研究主要集中在由于界面对称性破缺而诱导DMI相互作用的非对称结构的重金属1/铁磁/重金属2（HM1/FM/HM2）和重金属/铁磁/非重金属（HM/FM/NHM）多层膜材料体系。
[0004]对称结构的重金属/铁磁/相同重金属（HM/FM/HM）多层膜材料体系的研究相对要少很多。理论计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对称结构多层膜系中磁性斯格明子生成的调控方法，其特征在于，所述多层膜系包括至少三层膜层，外侧的两层所述膜层为重金属层，内侧的所述膜层为铁磁层，所述方法包括如下步骤：1）改变多层膜系中的铁磁层的厚度，减小其磁各向异性参数K，进而增大多层膜热力学稳定参数κ；2）对所述多层膜系施加磁场使其生成磁性斯格明子，所述磁场的方向不平行所述多层膜系。2.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述磁场垂直于多层膜系。3.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，在所述步骤2）中，所述多层膜系的温度为室温。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：何敏，
申请(专利权)人：烟台大学，
类型：发明
国别省市：