绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法，能够在绝缘体上半导体衬底的制造阶段，改进智能剥离技术中起泡离子注入方式，在晶圆的不同深度形成起泡层，从而在经历晶圆键合、退火和剥离后能直接获得具有不同顶层半导体厚度的绝缘体上半导体衬底，简化制造工艺，提高制造效率，节约成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]绝缘体上硅(Silicon
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On
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Insulator，SOI)等绝缘体上半导体技术在顶层半导体和基底之间设置一层预埋氧化层，有效降低了顶层半导体和基底之间的寄生电容，且SOI基片还具备集成密度高、短沟道效应小、衬底噪声低、集成密度高、速度快、功耗低等优点，广泛应用于集成电路、光电子和微电机(Micro
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Electro
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Mechanical Systems，MEMS)传感器等领域。
[0003]现有的基于绝缘体上半导体晶圆形成的芯片中，不同元器件往往对顶层半导体有不同厚度的需求，目前的方法是对绝缘体上半导体晶圆的顶层半导体进行氧化或者刻蚀，来消耗不同厚度的顶层半导体，以满足不同元器件的制造需求，这种方法步骤较为繁琐，且需要精细的调整热氧化或者刻蚀的工艺配方(recipe)，效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括：在所述第二晶圆的表面上形成预氧化层；对第二晶圆的不同区域进行不同深度的起泡离子注入，以在所述第二晶圆中形成不同深度的起泡层；将所述第二晶圆形成有所述预氧化层的一面键合到第一晶圆上；退火使所述起泡层起泡，以使所述第二晶圆的相应部分在所述起泡层处剥离去除，进而形成绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底具有所述第一晶圆及与之键合的所述第二晶圆的剩余部分。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过热氧化工艺或者沉积工艺，在所述第二晶圆的表面上形成所述预氧化层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预氧化层至少覆盖在所述第二晶圆的正面上，在所述第二晶圆正面上进行起泡离子注入，且所述第二晶圆的正面上的所述预氧化层键合到所述第一晶圆上。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对第二晶圆的不同区域进行不同深度的起泡离子注入的步骤包括：在所述预氧化层上形成第一掩膜层，并以所述第一掩膜层为掩膜，通过第一注入能量向所述第二晶圆进行起泡离子注入，以在所述第二晶圆的第一深度中形成起泡层；去除所述第一掩膜层，并在所述预氧化层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层限定的区域和所述第一掩模层限定的区域不同；以所述第二掩膜层为掩膜，以第二注入能量向所述第二晶圆进行起泡离子注入，以在所述第二晶圆的第二深度中形成起泡层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵朝珍，
申请(专利权)人：中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：