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本发明提供一种绝缘体上半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法，能够在绝缘体上半导体衬底的制造阶段，改进智能剥离技术中起泡离子注入方式，在晶圆的不同深度形成起泡层，从而在经历晶圆键合、退火和剥离后能直接获得具有不同顶层半导体厚度的绝缘体上...
该专利属于中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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