压电晶体元件制造技术

本发明专利技术涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明专利技术的压电晶体元件包括压电晶体材料（１），电极层（２），引线（３）。所述的压电晶体材料，其化学式为Ａ３＋ｘＢ１＋ｙＡｌ３＋ｚＳｉ２＋ｍＯ１４＋ｎ，其中，－０．２≤ｘ≤０．２，－０．２≤ｙ≤０．２，－０．２≤ｚ≤０．２，－０．２≤ｍ≤０．２，－１．４≤ｎ≤１．４，Ａ为Ｃａ、Ｓｒ或者两者的组合，Ｂ为Ｔａ、Ｎｂ或Ｓｂ三种元素中的一种，也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明专利技术的压电晶体元件最高使用温度可达１０００℃，具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。
技术介绍
当一些电介质晶体在外力的作用下发生变形时，它的某些表面上就会出现正负相 反的极化电荷，这种没有电场的作用，只是由于应变或应力，在晶体内产生电极化的现象称 为正压电效应，又称压电效应。当对压电材料施加交变电场时，压电材料不但产生极化，还 产生应变和应力。这种由电场产生应变或应力的现象称为逆压电效应。压电器件大多是利用压电材料的正压电效应制成的，根据这一特性就可以用来测 量力和能变换为力的非电物理量，如位移、压力、振动、加速度等。人们利用上述效应，制备 成功各类压电器件，包括声学传感器(例如噪音、振动、声音和超声波传感器)、力传感器、 压力传感器、加速度传感器和惯性传感器等等，广泛应用于国民经济的各个领域。而压电执 行器则是利用压电材料的逆压电效应而制成的，在电声和超声工程等领域中具有广泛的应 用。由于压电传感器基于压电效应制成，这就决定其不能应用于静态量的测量。这是 因为外力作用后在压电材料中产生的电荷，只有在回路具有无限大的输入电阻时才能得到 保存。然而，实际的情况并不是这样的。比如一种具有较小电阻率的压电材料，由于受本文档来自技高网...

【技术保护点】
压电晶体元件，其特征在于，包括：压电晶体材料（１），电极层（２），引线（３）；所述的压电晶体材料，其化学式为Ａ↓［３＋ｘ］Ｂ↓［１＋ｙ］Ａｌ↓［３＋ｚ］Ｓｉ↓［２＋ｍ］Ｏ↓［１４＋ｎ］，其中：－０．２≤ｘ≤０．２，－０．２≤ｙ≤０．２，－０．２≤ｚ≤０．２，－０．２≤ｍ≤０．２，－１．４≤ｎ≤１．４；Ａ为Ｃａ或Ｓｒ或者两者的组合；Ｂ为Ｔａ、Ｎｂ或Ｓｂ三种元素中的一种或几种元素的组合；所述的压电晶体材料，选用Ｘ切，Ｙ切，Ｚ切，或者其他旋转切型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑燕青，孔海宽，涂小牛，陈辉，施尔畏，
申请(专利权)人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]