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本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料（１），电极层（２），引线（３）。所述的压电晶体材料，其化学式为Ａ３＋ｘＢ１＋ｙＡｌ３＋ｚＳｉ２＋ｍＯ１４＋ｎ，其中，－０．２≤ｘ≤０．２，－０．２≤ｙ≤０．...该专利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。