晶体振荡器制造技术

本发明专利技术提供一种可获得频率的稳定度高的振荡输出的晶体振荡器。本发明专利技术构成晶体振荡器，包括：振荡电路，用以使晶体振子振荡；振子用温度检测部，用以对晶体振子所放置的环境的温度进行检测；振子用加热部，为了以晶体振子所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振子用温度检测部的检测温度控制其输出；振荡电路用温度检测部，为了对所述振荡电路所放置的环境的温度进行检测而与振子用温度检测部分开地设置；以及振荡电路用加热部，为了以所述振荡电路所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振荡电路用温度检测部的检测温度，与所述振子用加热部独立地控制其输出。

【技术实现步骤摘要】
晶体振荡器
本专利技术涉及一种晶体振荡器，该晶体振荡器对晶体振子所放置的环境的温度进行检测，根据温度的检测结果对加热部进行控制而使所述环境的温度为固定。
技术介绍
晶体振荡器在装入到被要求高的频率稳定度的应用中的情况下，有时构成为恒温晶体振荡器(￠^611 00111:1-0116(10801100X0^ 0图8中作为一例，表示00X0100的方块图。关于00X0100的各部，因将在实施方式中进行说明，所以在该
技术介绍
的项目中，视需要仅对各部的概要进行说明。另外，专利文献1中也记载了大致相同构成的00X0。 该0以0100中，利用来自使设置于恒温槽内的第一晶体振子10振荡的第一振荡电路11的振荡频率、与来自使第二晶体振子20振荡的第二振荡电路21的各振荡频率之差，计算恒温槽内的温度。而且，以恒温槽内的温度为所述第一晶体振子的零温度系数(261-0-161111)61-81:111-6 006^1016111:, 210)点的方式，进行振子用加热器 52 的控制。 所述第一振荡电路11及第二振荡电路21包含于例如大规模集成电路 丨社一狀社丨。]!，[31)(集成电路)中。而且所述2了?:点为关于晶体振子的振荡频率，将从基准温度下的振荡频率算起的变化量设定为纵轴、进而将温度变化设定为横轴时的曲线的拐点即丨社)。所述振子用加热器对所述晶体振子的温度进行控制以使其与该2扣点一致，由此可极力减小相对于温度的频率变动。 00X0100中，来自与如所述那样得到温度控制的所述第一晶体振子10连接的第一振荡电路11的输出作为时钟而供给到所述[31的各部中。 然而，此种00(0100中，如果使构成各振荡电路11、振荡电路21的[31离开各晶体振子10、晶体振子20而设置，则所述晶体振子的温度与所述振荡电路的温度产生背离。而且，振荡电路11、振荡电路21中具有输出频率相对于温度的变动特性。因此，认为在引起恒温槽的外部的温度发生变动时所述[31的温度会发生变动，由此来自所述振荡电路11、振荡电路21的输出频率发生变动。即，00X0100的温度特性有可能劣化。 在各晶体振子10、晶体振子20为小型，进而以具有小型的恒温槽的方式构成所述00X0100的情况下，也考虑进行如下处置，即，将晶体振子与131的距离相对接近地加以配置，从而所述晶体振子10、晶体振子20的温度与形成振荡电路11、振荡电路21的[31的温度的背离相对地得到抑制。然而，如例如恒温槽为大型，且各晶体振子10、晶体振子20大，而该些晶体振子10、晶体振子20无法收纳于1个壳体中的情况下等，有时无法如所述那样以温度的背离得到抑制的方式配置第一晶体振子10及第二晶体振子20与1^31。该情况下，尤其担心所述00(0100的温度特性的劣化。 〔现有技术文献〕 〔专利文献〕 [专利文献1]日本专利特开2013-51677号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题] 本专利技术在所述情况下完成，其目的在于提供一种晶体振荡器，该晶体振荡器对晶体振子所放置的环境的温度进行检测，根据温度的检测结果对加热部进行控制而使所述环境的温度为固定，且可获得频率的稳定度高的振荡输出。 [解决问题的手段] 本专利技术的晶体振荡器包括: 第一晶体振子； 第一振荡电路，用以使所述第一晶体振子振荡； 振子用温度检测部，用以对所述第一晶体振子所放置的环境的温度进行检测； 振子用加热部，为了以所述第一晶体振子所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振子用温度检测部的检测温度控制其输出； 振荡电路用温度检测部，为了对所述第一振荡电路所放置的环境的温度进行检测而与振子用温度检测部分开地设置；以及 振荡电路用加热部，为了以所述第一振荡电路所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振荡电路用温度检测部的检测温度，与所述振子用加热部独立地控制其输出。 [专利技术的效果] 根据本专利技术的晶体振荡器，包括:振荡电路用温度检测部，与振子用温度检测部分开地设置，用以对振荡电路所放置的环境的温度进行检测；以及振荡电路用加热部，根据所述振荡电路用温度检测部的温度检测结果，与振子用加热部独立地控制其输出。因此，即便所述振荡电路与晶体振子的距离隔开，也可抑制该振荡电路的温度的变动，且可抑制从振荡电路输出的振荡频率的变动。而且，在配置振荡电路及晶体振子时，无须使所述振荡电路及晶体振子接近，因而晶体振荡器的构成的自由度增大。 【附图说明】 图1是本专利技术的00X0的方块图。 图2是所述00X0的纵剖侧面图。 图3是设置于所述00X0的振荡电路用加热器控制电路的方块图。 图4是示意性地表示温度控制方法的曲线图。 图5是示意性地表示温度控制方法的曲线图。 图6是表示所述振荡电路用加热器控制电路的开关被切换的情况的说明图。 图7是另一 00X0的纵剖侧面图。 图8是现有的00X0的方块图。 [符号的说明] 1100:00(0 3:数字信号处理部 5:振荡电路用加热器控制电路 10:第一晶体振子 11:第一振荡电路 12:壳体 20:第二晶体振子 21:第二振荡电路 31:频率计数部 32:温度修正频率计算部 33:数字控制电路 34:外部存储器 35:连接端子 36:内部存储器 37:模拟数字转换器 38:串行数据线(861-181 0社￡1 11116, 30八〉、串行时钟线(861-1810100^11116, 801) 39:外部计算机 41:？11 电路部 42:低通滤波器 43:压控晶体振荡器 44:恒温槽 45:基板 51:振子用加热器控制电路 52:振子用加热器 53:内部温度传感器 54:振荡电路用内部加热器 55:外部温度传感器 56:振荡电路用外部加热器 61、63、66、69、71:开关 62:模拟数字转换器 64:内部温度存储器 65:外部温度存储器 67:？1控制电路 68:修正电路 72:内部控制电路 73:导热构件 八:加热器电力 X:目标设定温度 X:检测温度 【具体实施方式】 对作为本专利技术的晶体振荡器的实施方式的00X01进行说明。图1中表示00X01的方块图。该方块图中，由实线箭头来表示进行00X01的各电路的寄存器的设定及读写时的数字控制数据信号流。而且，由单点划线的箭头来表示高频信号流的方向，由双点划线的箭头来表示模拟信号流的方向。进而，由虚线的箭头来表示系统时钟信号流的方向。另外，
技术介绍
的项目中说明的图8的00X0100也与该图1的00X01同样地使用各箭头来表示各信号流。 该00(01具备第一晶体振子10、及第二晶体振子20，各晶体振子10、晶体振子20包含经…切割的晶体片与激振电极。该例中，第一晶体振子10及第二晶体振子20以放置于彼此相等的周围温度的方式，彼此接近地收纳在共用的壳体12内。第一晶体振子10与设置在壳体12的外部的第一振荡电路11连接，第二晶体振子20同样地与设置在壳体12的外部的第二振荡电路21连接。 在与第一晶体振子10连接的第一振荡电路11、及与第二晶体振子20连接的第二振荡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振荡器，其特征在于包括：晶体振子；振荡电路，用以使所述晶体振子振荡；振子用温度检测部，用以对所述晶体振子所放置的环境的温度进行检测；振子用加热部，为了以所述晶体振子所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振子用温度检测部的检测温度控制其输出；振荡电路用温度检测部，为了对所述振荡电路所放置的环境的温度进行检测而与振子用温度检测部分开地设置；以及振荡电路用加热部，为了以所述振荡电路所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振荡电路用温度检测部的检测温度，与所述振子用加热部独立地控制其输出。

【技术特征摘要】
2013.08.27 JP 2013-1758641.一种晶体振荡器，其特征在于包括: 晶体振子； 振荡电路，用以使所述晶体振子振荡； 振子用温度检测部，用以对所述晶体振子所放置的环境的温度进行检测； 振子用加热部，为了以所述晶体振子所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振子用温度检测部的检测温度控制其输出； 振荡电路用温度检测部，为了对所述振荡电路所放置的环境的温度进行检测而与振子用温度检测部分开地设置；以及 振荡电路用加热部，为了以所述振荡电路所放置的环境的温度为固定的方式进行补偿，而根据所述振荡电路用温度检测部的检测温度，与所述振子用加热部独立地控制其输出。2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于: 所述振荡电路所放置的环境、与所述晶体振子所放置的环境，为包围所述振荡电路及晶体振子的恒温槽内的环境。3.根据权利要求1或2所述的晶体振荡器，其特征在于: 所述振荡电路包含于集成电路中， 在所述集成电路设置着所述振荡电路用加热部及振荡电路用温度检测部。4.根据权利要求1或2所述的晶体振荡器，其特征在于: 所述振荡电路包含于集成电路中， 在所述集成电路设置着第一发热体， 在所述集成电路的外部设置着第二发热体， 设置着选择机构，所述选择机构选择使用所述第一发热体及第二发热体中的其中一个来作为所述振荡电路用加热部。5.根据权利要求1或2所述的晶体振...

【专利技术属性】
技术研发人员：依田友也，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP