【技术实现步骤摘要】
一种电压补偿振荡器电路
本专利技术涉及模拟集成电路
,具体为一种电压补偿振荡器电路。
技术介绍
模拟集成电路设计中常用到振荡器电路,一种振荡器电路的涉及如图1所示,其中电阻Rl和N型MOS晶体管NI组成偏置电压产生电路,在NMOS管的栅端和漏端连接处产生偏置电压NBias,偏置电压NBias连接到数个延迟单元,这些延迟单元连接成一个环形,保持振荡状态。延迟单元的个数可以根据设计需求选择,保证延迟单元组成的环路能够振荡,且振荡频率满足要求即可。NBias电压可以控制延迟单元的延迟时间,从而控制整个环形延迟单元的振荡频率。但是这种电路的缺点是振荡频率容易受到电源电压的影响,当电源电压VDD变高时,偏置电压NBias也会变高,从而使延迟单元变小,振荡频率变快,影响了振荡频率的精度。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种电压补偿振荡器电路,其振荡频率受电源电压影响较小,提高振荡频率的精度。 其技术方案是这样的:一种电压补偿振荡器电路,其包括NMOS管N4、电阻R3、多个延迟单元,所述电阻R3 —端连接所述NMOS管N4的漏端,所述NMOS管N4的漏端和栅端相连后连接多个所述延迟单元,多个所述延迟单元连接成一个环形,所述NMOS管N4的源端接地,其特征在于,其还包括电阻R2和PMOS管P2,所述电阻R2 —端连接电源VDD,所述电阻R2另一端连接所述电阻R3另一端、所述PMOS管P2的源端,所述PMOS管的栅端连接所述NMOS管N4的漏端,所述PMOS管P2的漏端接地。 其进一步特征在于,所述延迟单元包括 ...
【技术保护点】
一种电压补偿振荡器电路,其包括NMOS管N4、电阻R3、多个延迟单元,所述电阻R3一端连接所述NMOS管N4的漏端,所述NMOS管N4的漏端和栅端相连后连接多个所述延迟单元,多个所述延迟单元连接成一个环形,所述NMOS管N4的源端接地,其特征在于,其还包括电阻R2和PMOS管P2,所述电阻R2一端连接电源VDD,所述电阻R2另一端连接所述电阻R3另一端、所述PMOS管P2的源端,所述PMOS管的栅端连接所述NMOS管N4的漏端,所述PMOS管P2的漏端接地。
【技术特征摘要】
1.一种电压补偿振荡器电路,其包括NMOS管N4、电阻R3、多个延迟单元,所述电阻R3一端连接所述NMOS管N4的漏端,所述NMOS管N4的漏端和栅端相连后连接多个所述延迟单元,多个所述延迟单元连接成一个环形,所述NMOS管N4的源端接地,其特征在于,其还包括电阻R2和PMOS管P2,所述电阻R2 —端连接电源VDD,所述电阻R2另一端连接所述电阻R3另一端、所述PMOS管P2的源端,所述PMOS管的栅端连接所述NMOS管N4的漏端,所述PMOS管P2的漏端接地。2.根据权利要求1所述的一种电压补偿振荡器电路,其特征在于,所述延迟单元包括三个,分别为第一延迟单元、第二延迟单元、第三延迟单元,所述第一延迟单元的输出端连接第二延迟单元的输入端,所述第二延迟...
【专利技术属性】
技术研发人员:童红亮,陈涛,李兆桂,
申请(专利权)人:无锡普雅半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。