一种抑制电流脉冲的功率驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及集成电路功率驱动电路，具体为一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其电路结构简单，抑制了电源上的电流脉冲，提高可靠性，其包括电机负载，电机负载一端连接电源，另一端连接驱动管D1、驱动管D2，驱动管D1的栅端连接开关S5、开关S6，驱动管D2的栅端连接开关S7、开关S8，其还包括第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2，第一上拉电流源a1一端连接电源、另一端连接开关S1一端，开关S1另一端连接驱动管D1的栅端、开关S2一端，开关S2另一端连接第一NMOS管N1的漏端和栅端，第一NMOS管N1的源端连接第一下拉电流源b1一端，第一下拉电流源b1另一端接地，第二上拉电流源a2一端与第一上拉电流源a1一端连接电路结构对称布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路功率驱动电路，具体为一种抑制电流脉冲的功率驱动电路。
技术介绍
小型电机已经越来越多的用于了消费类电子设备，瞬间的大电流脉冲不仅会对电源系统造成冲击伤害，还可能对设备内其他部件造成干扰和伤害。另一方面，应用要求体积越来越小，成本要求越来越低，因此成本低、性能满足要求的方案越被人们接受，为了降低电机的尺寸和设计的复杂度，目前通用的方案是提供一个单片集成电机驱动电路，如图1所示，该驱动电路直接集成了2个驱动管D1、D2和驱动管控制电路，在电机驱动系统中，互补性的驱动管配置是基本结构；使用这种结构，电路结构简单，易于实现，驱动管控制电流直接控制2个驱动管D1、D2的开或者关，因此在切换的瞬间在电源上会产生一个瞬间很大的电流脉冲，不仅会对电源造成影响，所发出的瞬间电磁波还能周围电子设备，尽管由于电机中电感和互感的的存在，对这个脉冲有一定的抑制作用，但是为了提高电机的效率，降低芯片的消耗功率，驱动管的导通阻抗必然要足够小(< 1Ohm)，因此电流脉冲不可避免。
技术实现思路
    为了解决上述问题，本专利技术提供了一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其电路结构简单，抑制了电源上的电流脉冲，提高可靠性。其技术方案是这样的：一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其包括电机负载，所述电机负载一端连接电源，另一端连接驱动管D1、驱动管D2的漏端，所述驱动管D1、驱动管D2的漏端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端接地，所述驱动管D1的栅端连接开关S5、开关S6一端，所述开关S5另一端连接电源、所述开关S6另一端接地，所述驱动管D2的栅端连接开关S7、开关S8一端，所述开关S8另一端连接电源、所述开关S7另一端接地，其特征在于，其还包括第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2，所述第一上拉电流源a1一端连接电源、另一端连接开关S1一端，所述开关S1另一端连接驱动管D1的栅端、开关S2一端，所述开关S2另一端连接第一NMOS管N1的漏端和栅端，所述第一NMOS管N1的源端连接第一下拉电流源b1一端，所述第一下拉电流源b1另一端接地，所述第二上拉电流源a2一端连接电源、另一端连接开关S4一端，所述开关S4另一端连接驱动管D2的栅端、开关S3一端，所述开关S3另一端连接第一NMOS管N2的漏端和栅端，所述第二NMOS管N2的源端连接第二下拉电流源b2一端，所述第二下拉电流源b2另一端接地。其进一步特征在于，所述驱动管D1、驱动管D2为NMOS管；所述第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2流入电流大小相同，所述第一下拉电流源b1、第二下拉电流源b2流出电流大小相同。采用本专利技术的电路结构后，由驱动管D1和D2对电机负载进行驱动，驱动管D1和D2组成互补结构；其次，在驱动管D1和D2状态切换使，先使第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2分别对驱动管D1和D2的栅极进行缓慢充放电，在一定的延迟时间后，再把驱动管D1和D2的栅极直接拉高或者拉低；最后，在第一下拉电流源b1、第二下拉电流源b2的放电通道各自串联一个二极管接法的第一NMOS管N1和第二NMOS管N2，保证驱动管D1和D2在延迟时间内是个稳定的状态；通过以上三点的方法，不仅有效的利用驱动管D1和D2对电机负载进行驱动，同时还在驱动管D1和D2切换的瞬间抑制了电源上的电流脉冲。附图说明图1为现有技术电路结构示意图；图2为本专利技术电路结构示意图；图3为本专利技术时序控制示意图。具体实施方式见图2所示，一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其包括电机负载，电机负载一端连接电源，另一端连接驱动管D1、驱动管D2的漏端，驱动管D1、驱动管D2的漏端分别连接电容后接各自栅端，驱动管D1、驱动管D2的源端分别连接电容后接各自栅端，驱动管D1、驱动管D2的源端接地，驱动管D1的栅端连接开关S5、开关S6一端，开关S5另一端连接电源、开关S6另一端接地，驱动管D2的栅端连接开关S7、开关S8一端，开关S8另一端连接电源、开关S7另一端接地，其还包括第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2，第一上拉电流源a1一端连接电源、另一端连接开关S1一端，开关S1另一端连接驱动管D1的栅端、开关S2一端，开关S2另一端连接第一NMOS管N1的漏端和栅端，第一NMOS管N1的源端连接第一下拉电流源b1一端，第一下拉电流源b1另一端接地，第二上拉电流源a2一端连接电源、另一端连接开关S4一端，开关S4另一端连接驱动管D2的栅端、开关S3一端，开关S3另一端连接第一NMOS管N2的漏端和栅端，第二NMOS管N2的源端连接第二下拉电流源b2一端，第二下拉电流源b2另一端接地；驱动管D1、驱动管D2为NMOS管，驱动管D1、D2通常是一个导通状态、一个截止状态，电机负载为2个耦合线圈；所第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2流入电流大小相同，第一下拉电流源b1、第二下拉电流源b2流出电流大小相同见图3所示，开关S1和开关S3由PH1时序控制，PH1高时开关S1和开关S3导通，否则截止；开关S2和开关S4由PH2时序控制，PH2高时开关S2和开关S4导通；开关S5和开关S7由PH1’时序控制，PH1’高时开关S5和开关S7导通，否则截止；开关S6和开关S8由PH2’时序控制，PH2’高时开关S6和开关S8导通。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其包括电机负载，所述电机负载一端连接电源，另一端连接驱动管D1、驱动管D2的漏端，所述驱动管D1、驱动管D2的漏端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端接地，所述驱动管D1的栅端连接开关S5、开关S6一端，所述开关S5另一端连接电源、所述开关S6另一端接地，所述驱动管D2的栅端连接开关S7、开关S8一端，所述开关S8另一端连接电源、所述开关S7另一端接地，其特征在于，其还包括第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2，所述第一上拉电流源a1一端连接电源、另一端连接开关S1一端，所述开关S1另一端连接驱动管D1的栅端、开关S2一端，所述开关S2另一端连接第一NMOS管N1的漏端和栅端，所述第一NMOS管N1的源端连接第一下拉电流源b1一端，所述第一下拉电流源b1另一端接地，所述第二上拉电流源a2一端连接电源、另一端连接开关S4一端，所述开关S4另一端连接驱动管D2的栅端、开关S3一端，所述开关S3另一端连接第一NMOS管N2的漏端和栅端，所述第二NMOS管N2的源端连接第二下拉电流源b2一端，所述第二下拉电流源b2另一端接地。...

【技术特征摘要】
1. 一种抑制电流脉冲的功率驱动电路，其包括电机负载，所述电机负载一端连接电源，另一端连接驱动管D1、驱动管D2的漏端，所述驱动管D1、驱动管D2的漏端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端分别连接电容后接各自栅端，所述驱动管D1、驱动管D2的源端接地，所述驱动管D1的栅端连接开关S5、开关S6一端，所述开关S5另一端连接电源、所述开关S6另一端接地，所述驱动管D2的栅端连接开关S7、开关S8一端，所述开关S8另一端连接电源、所述开关S7另一端接地，其特征在于，其还包括第一上拉电流源a1、第二上拉电流源a2，所述第一上拉电流源a1一端连接电源、另一端连接开关S1一端，所述开关S1另一端连接驱动管D1的栅端、开关S2一端，所述开关S2另一端连接第一NMOS管N1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周平，
申请(专利权)人：无锡普雅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32