接触电阻测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及电子仪表技术领域，具体涉及一种接触电阻测试装置。本实用新型专利技术的有益效果是：本装置采用脉冲电流法对接触电阻进行测量,对触头表面原始状态破坏小,触头因焦耳热产生的温升小,所采用的原理和接线方式可以避免电流源纹波和引线电阻对测量结果的影响,可实现接触电阻的精确测量；通过压力传感器对触头压力进行测量,能准确反映触头压力与接触电阻之间的关系,对了解压力对接触电阻的影响有较强的实际意义。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子仪表
，具体涉及一种接触电阻测试装置。
技术介绍
接触电阻是表征电器设备接触可靠性的重要参数，它常常作为衡量电器设备是否正常运行的重要技术指标，通过对触头接触电阻值的测量可判断触头的接触情况，从而预测电器设备的寿命。传统的接触电阻测试方法采用伏安法来测量触头间的接触电阻，由于触头间的接触电阻值一般都在毫欧甚至微欧的数量级，并与接触压力的大小密切相关，当用伏安法测量接触电阻时，若触头间通过的电流较小，则触头两端的电压降很小，对测量接触压降的仪器灵敏度要求较高；而灵敏度提高信噪比变小，会使测量精度降低，影响测量结果。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术提供一种能准确测量不同压力下的接触电阻值的测试装置。本技术是通过以下技术方案实现的：一种接触电阻测试装置，包括电源，所述电源的输出端连接金氧半场效晶体管(MOSFET)，所述MOSFET的输入端还连接MOSFET触发电路，所述MOSFET的输出端连接被测电阻，所述被测电阻的输出端分别连接压力传感器和触头电压信号处理电路，所述压力传感器的输出端连接压力信号处理电路，所述触头电压信号处理电路和压力信号处理电路的输出端均连接单片机，所述单片机的输出端连接所述MOSFET触发电路。进一步地，所述单片机采用PIC16F877A单片机。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本装置采用脉冲电流法对接触电阻进行测量,对触头表面原始状态破坏小,触头因焦耳热产生的温升小,所采用的原理和接线方式可以避免电流源纹波和引线电阻对测量结果的影响,可实现接触电阻的精确测量；通过压力传感器对触头压力进行测量,能准确反映触头压力与接触电阻之间的关系,对了解压力对接触电阻的影响有较强的实际意义。附图说明图1是本技术的结构示意框图。具体实施方式如图1所示的一种接触电阻测试装置，包括电源，电源的输出端连接金氧半场效晶体管(MOSFET)，MOSFET的输入端还连接MOSFET触发电路，MOSFET的输出端连接被测电阻，被测电阻的输出端分别连接压力传感器和触头电压信号处理电路，压力传感器的输出端连接压力信号处理电路，触头电压信号处理电路和压力信号处理电路的输出端均连接单片机，单片机的输出端连接MOSFET触发电路。进一步地，单片机采用PIC16F877A单片机。综上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，并非用来限定本技术实施的范围，凡依本技术权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本技术的权利要求范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触电阻测试装置，其特征在于：包括电源，所述电源的输出端连接金氧半场效晶体管MOSFET，所述MOSFET的输入端还连接MOSFET触发电路，所述MOSFET的输出端连接被测电阻，所述被测电阻的输出端分别连接压力传感器和触头电压信号处理电路，所述压力传感器的输出端连接压力信号处理电路，所述触头电压信号处理电路和压力信号处理电路的输出端均连接单片机，所述单片机的输出端连接所述MOSFET触发电路。

【技术特征摘要】
1.一种接触电阻测试装置，其特征在于：包括电源，所述电源的输出端连接金氧半场效晶体管MOSFET，所述MOSFET的输入端还连接MOSFET触发电路，所述MOSFET的输出端连接被测电阻，所述被测电阻的输出端分别连接压力传感器和触头电压信号处理电路，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮献忠，
申请(专利权)人：泰州市双宇电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32