开关电源中的过冲抑制设计电路制造技术

技术编号:5510839 阅读:759 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种开关电源中的过冲抑制设计电路,包括吸收电容C1,电阻R1-R4,二极管D2,可控硅Q1,其中吸收电容C1的一段接电阻R1和R3的一端,另一端接电阻R4一端和二极管D2的正极,电阻R1的另一端接可控硅Q1的阴极,电阻R3的另一端通过电阻R2接电阻R4的另一端和可控硅Q1的阳极,电阻R2和R3的节点接可控硅Q1的控制极。本新型电路采用吸收电容将此过冲电压完全消除,并且还可通过本电路来改变启动延迟时间,使设计更加自由,更好的满足不同用户的使用要求。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种开关电源中的过冲抑制设计电路
技术介绍
一般AC/DC,DC/DC开关电源,在上电的瞬间,由于负反馈环路响应时间的限制,其 输出电压都会有过冲现象产生,过冲电压为一个尖峰电压,容易对配备此开关电源的器件 产生损伤,影响用户的使用情况。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种能够消除过冲,并能调整启动延迟时 间的开关电源中的过冲抑制设计电路。为解决上述问题,本技术所采取的技术方案是一种开关电源中的过冲抑制 设计电路,包括吸收电容Cl,电阻R1-R4,二极管D2,可控硅Q1,其中吸收电容Cl的一段接 电阻Rl和R3的一端,另一端接电阻R4 —端和二极管D2的正极,电阻Rl的另一端接可控 硅Ql的阴极,电阻R3的另一端通过电阻R2接电阻R4的另一端和可控硅Ql的阳极,电阻 R2和R3的节点接可控硅Ql的控制极。本新型还包括发光管Dl,其安装在电阻Rl和可控硅Ql之间,正极接电阻R1,负极 接可控硅Ql。采用上述技术方案所产生的有益效果在于本新型电路采用吸收电容将此过冲电 压完全消除,并且还可通过本电路来改变启动延迟时间,使设计更加自由,更好的满足不同 用户的使用要求。附图说明图1是本技术原理图。具体实施方式以下结合附图对本技术做进一步详细描述如图1所示,本新型包括吸收电 容Cl,电阻R1-R4,二极管D2,可控硅Ql,其中吸收电容Cl的一段接电阻Rl和R3的一端, 另一端接电阻R4 —端和二极管D2的正极,电阻Rl的另一端接可控硅Ql的阴极,电阻R3 的另一端通过电阻R2接电阻R4的另一端和可控硅Ql的阳极,电阻R2和R3的节点接可控 硅Ql的控制极。本新型还包括发光管D1,其安装在电阻Rl和可控硅Ql之间,正极接电阻R1,负极 接可控硅Ql。工作原理正常的输出电路一般由光电耦合器Dl及电压基准源Ql组成,在电路正常工作的 时候,D1、Q1、R1、R2、R3组成普通的反馈环路。本电路是在电路的反馈环路中加入部分器件,起到消除过充电压的目的。在电源启动的瞬间,由于反馈环路的响应时间所限,反馈环路可 视为开环,输出电压在此瞬间不受反馈环路控制,故出现过冲现象。加入此电路后,在电源 启动瞬间产生的过冲电压通过电容Cl,吸收掉,然后在反馈环起作用后,即通过电阻R4释 放,起到将过冲电压消除掉的作用;此电路的亦会影响输出电压上升的斜率,调整电容和电 阻的取值可改变输出电压上升的斜率,起到控制启动延迟的效果。权利要求1.一种开关电源中的过冲抑制设计电路,其特征在于包括吸收电容Cl,电阻R1-R4, 二极管D2,可控硅Q1,其中吸收电容Cl的一段接电阻Rl和R3的一端,另一端接电阻R4 — 端和二极管D2的正极,电阻Rl的另一端接可控硅Ql的阴极,电阻R3的另一端通过电阻R2 接电阻R4的另一端和可控硅Ql的阳极,电阻R2和R3的节点接可控硅Ql的控制极。2.根据权利要求1所述的开关电源中的过冲抑制设计电路,其特征在于还包括发光 管Dl,其安装在电阻Rl和可控硅Ql之间,正极接电阻Rl,负极接可控硅Ql。专利摘要本技术公开了一种开关电源中的过冲抑制设计电路,包括吸收电容C1,电阻R1-R4,二极管D2,可控硅Q1,其中吸收电容C1的一段接电阻R1和R3的一端,另一端接电阻R4一端和二极管D2的正极,电阻R1的另一端接可控硅Q1的阴极,电阻R3的另一端通过电阻R2接电阻R4的另一端和可控硅Q1的阳极,电阻R2和R3的节点接可控硅Q1的控制极。本新型电路采用吸收电容将此过冲电压完全消除,并且还可通过本电路来改变启动延迟时间,使设计更加自由,更好的满足不同用户的使用要求。文档编号H02M1/36GK201860258SQ201020612399公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月18日 优先权日2010年11月18日专利技术者刘立宪, 崔英杰, 董杰, 郭同栾 申请人:石家庄市大宇科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电源中的过冲抑制设计电路,其特征在于:包括吸收电容C1,电阻R1-R4,二极管D2,可控硅Q1,其中吸收电容C1的一段接电阻R1和R3的一端,另一端接电阻R4一端和二极管D2的正极,电阻R1的另一端接可控硅Q1的阴极,电阻R3的另一端通过电阻R2接电阻R4的另一端和可控硅Q1的阳极,电阻R2和R3的节点接可控硅Q1的控制极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:崔英杰郭同栾刘立宪董杰
申请(专利权)人:石家庄市大宇科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:13

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