【技术实现步骤摘要】
液体存储装置以及原子层沉积设备
[0001]本技术涉及一种液体存储装置以及原子层沉积设备。
技术介绍
[0002]原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)是指通过将气相前驱体交替通入反应腔室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应原子层级的膜层。
[0003]等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)是对ALD技术的扩展,在等离子体引入的条件下进行原子层沉积,而由于等离子体的引入,产生大量活性自由基,提升了原子层沉积的成膜质量。
技术实现思路
[0004]本公开的实施例提供一种液体存储装置,其特征在于,包括:储液容器,包括容器壁且构造为存储液态的前驱体材料;液位传感器,设置在所述储液容器的容器壁上,且从所述储液容器的外部延伸到所述储液容器内部,构造为检测所述储液容器内所述液态的前驱体材料的液位;振动器,在所述储液容器外部且连接到所述液位传感器,构造为带动所述液体传感器振动。
[0005]例如,在本公开实施例提供的液体存储装置中,所述液位传感器包括:浮子,所述浮子设置在所述储液容器内部,且构造为随着所述储液容器内的液位的上升而上升,所述浮子的整体密度低于所述前驱体材料的密度,所述振动器振动时带动所述浮子振动。
[0006]例如,本公开实施例提 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液体存储装置,其特征在于,包括:储液容器,包括容器壁且构造为存储液态的前驱体材料;液位传感器,设置在所述储液容器的容器壁上,且从所述储液容器的外部延伸到所述储液容器内部,构造为检测所述储液容器内所述液态的前驱体材料的液位;振动器,在所述储液容器外部且连接到所述液位传感器,构造为带动所述液体传感器振动。2.根据权利要求1所述的液体存储装置,其特征在于,所述液位传感器包括:浮子,所述浮子设置在所述储液容器内部,且构造为随着所述储液容器内的液位的上升而上升,其中所述浮子的整体密度低于所述前驱体材料的密度,所述振动器振动时带动所述浮子振动。3.根据权利要求2所述的液体存储装置,其特征在于,包括:加料通道,构造为穿过所述容器的容器壁,包括:进料口,设置在所述储液容器外部;出料口,设置在所述储液容器内部;以及充料阀,设置在所述进料口与所述储液容器之间,可控制为开启以连通所述加料通道或者关闭以阻断所述加料通道;驱动气通路,连接到所述充料阀以及所述振动器,构造为通过通入驱动气而使得所述充料阀连通加料通道或者通过停止通入气体使得所述充料阀阻断所述加料通道,且在通入所述驱动气时使得所述振动器振动;控制器,构造为控制向所述驱动气通路通入所述驱动气或者停止向所述驱动气通路通入所述驱动气,其中所述液位传感器为中液位传感器,与所述控制器信号连接,构造为在所述储液容器内的液位达到第一设置位置时,所述中液位传感器被触发而使得所述控制器停止向驱动气通路通入驱动气,进而停止向所述储液容器的进料。4.根据权利要求3所述的液体存储装置,其特征在于,包括:高液位传感器,与所述中液位传感器间隔设置在所述储液容器的容器壁上,且连通所述储液容器内部,其中所述高液位传感器包括设置在所述储液容器内部的浮子,所述浮子的整体密度低于所述前驱体材料的密度,所述高液位传感器构造为与所述控制器信号连接,且构造为在所述储液容器内的液位达到第二设置位置时,使得所述控制器停止向驱动气通路通入驱动气,而停止向所述储液容器的进料,其中在垂直于所述储液容器的方向上,所述第一设置位置低于所述第二设置位置。5.根据权利要求4所述的液体存储装置,其特征在于,所述高液位传感器包括:报警装置,构造为在所述储液容器内的液位达到第二设置位置时,发出警报。6.根据权利要求2所述的液体存储装置,其特征在于,所述液位传感器是磁性浮子液位计、浮球浮子液位计或者磁致伸缩浮子液位计。7.根据权利要求3
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5中任一项所述的液体存储装置,其特征在于,还包括:
三通阀,设置在所述驱动气通路上,构造为通过所述驱动气,压力开关,连接到所述三通阀,包括第一接触点和第二接触点;电源,构造为为所述振动器提供电力,连接到所述振动器和所述压力开关,其中当所述驱动气通过所述驱动气通路而导通所述加料通道时,所述驱动气通过所述三通阀驱动所述压力开关的所述第一接触点和所述第二接触点接触,使得所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:鉏亨,张磊,居昀,
申请(专利权)人:ASMIP私人控股有限公司,
类型:新型
国别省市:
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