用于产生铝离子的方法及系统技术方案

本发明专利技术描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明专利技术描述一种可用于产生铝离子束的离子源。的离子源。的离子源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于产生铝离子的方法及系统


[0001]本专利技术大体上涉及离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本专利技术涉及可用于产生铝离子束的离子源。

技术介绍

[0002]将铝离子植入到例如半导体材料的衬底中用于半导体及微电子装置制造中。作为单个实例，铝已用作p型掺杂剂以掺杂微电子装置的晶体管结构的部分。例如，铝可植入到硅或碳化硅中。
[0003]如半导体制造中所实践的离子植入涉及通过使化学物种的能量离子撞击于衬底上来将此类物种掺杂到衬底(例如微电子装置晶片)中。为产生离子掺杂剂物种，掺杂剂的来源(其可(例如)呈掺杂剂物种的卤化物或氢化物的形式)经受离子化。使用离子源(也称“离子源设备”)来实施此离子化以产生含有掺杂剂物种的离子束。离子源在“离子室”或“电弧室”内产生离子。
[0004]由离子源产生铝离子的过去方法通过组合电弧室中的铝掺杂剂源与氟化化合物(即，“共伴气体”(有时也称为“载体气体”或“共反应物”)，其为三氟化硼(BF3)、三氟化磷(PF3))来产生铝离子。铝作为固体含铝靶材引入到离子化工艺。氟化化合物与固体铝反应(包含化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在具有离子源室的离子源中产生铝离子的方法，所述方法包括：在含有铝掺杂剂源的离子源室中，使以下物质流入到所述离子源室中：选自BF3、PF3、PF5、GeF4、XeF2、CF4B2F4、SiF4、Si2F6、AsF3、AsF5、XeF4、XeF6、WF6、MoF6、C
n
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(n＝1、2、3
……
，x＝0、1、2
……
)、COF2、SF6、SF4、SeF6、NF3、N2F4、HF、F2或其组合的含氟气体，及含氢气体，及在所述离子源室内产生铝离子。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铝掺杂剂源包括选自以下的固体铝靶：氧化铝、氮化铝、碳化铝、硼化铝及这些的组合。3.根据权利要求1所述的方法，其中含氢气体及含氟气体基于总的含氢气体及含氟气体以含氢气体2(体积)％到60(体积)％的相对量流入所述离子源室中。4.根据权利要求1所述的方法，其中含氢气体及含氟气体基于总的含氢气体及含氟气体以含氢气体5(体积)％到60(体积)％的相对量流入所述离子源室中。5.根据权利要求1所述的方法，其中含氢气体流入到所述离子源作为共伴气体使所述离子源的操作寿命相对于由所述离子源在无所述含氢气体的情况下的可比较操作引起的操作寿命延长至少10％。6.根据权利要求1所述的方法，其中含氢气体流入到所述离子源作为共伴气体使所述离子源的突波相对于由所述离子源在无所述含氢气体的情况下的可比较操作引起的突波量减少至少20％。7.根据权利要求1所述的方法，其中在大于0％到60％的含氢气体的范围内，出现最大离子束电流，且其中所述含氢气体以在所述最大离子束电流的60个百分点内的量流动。8.根据权利要求1所述的方法，其包括：从所述含氟气体产生中性或离子化含氟物种，且使所述含氟物种与所述铝靶反应以产生铝离子。9.根据权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：