半导体试验装置和半导体试验方法制造方法及图纸

试验载台(51)对配置有多个半导体元件(26、27)的晶圆(63)进行固定，并且具有与多个半导体元件(26、27)的正极电连接的正极的作用。恒流源(1、2)向试验载台(51)供给恒流。第1探针(53)将半导体元件(27)的负极与恒流源的负极(42)连接。电极(31、32)配置在试验载台(51)的外周，分别与恒流源(1、2)中的1个恒流源连接，并作为2个电流供给点发挥功能。集电极感测端子(33)配置在试验载台(51)的外周。电压计(3)测定集电极感测端子(33)与恒流源的负极(42)之间的电压。(42)之间的电压。(42)之间的电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体试验装置和半导体试验方法


[0001]本公开涉及半导体试验装置和半导体试验方法。

技术介绍

[0002]半导体元件的产品性能是通过在制造过程中的试验工序中进行特性试验而保证的。在特性试验中，具有向半导体元件施加高电压或大电流等特性试验和筛选等。
[0003]在特性试验中，具有以模块的状态进行的试验、以及以半导体元件的状态进行的试验等。为了降低制造的成本，特性试验优选能够以晶圆的状态进行试验。但是，存在以下问题：由于根据设置晶圆的试验载台和晶圆背面的接触情况而变化的电阻与从试验载台到测定点的路径的电阻之间的差异，测定结果的再现性低。
[0004]在专利文献1中，作为半导体晶体管的测试方法，公开了一种使试验载台与晶圆背面的接触电阻降低的结构。
[0005]在专利文献1中，通过将设置于试验载台的吸附孔的密度设为100个/cm2以上，能够降低试验载台与晶圆背面电极的接触电阻。由此，能够降低测定的再现性低的问题。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2015本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体试验装置，其用于对半导体元件的特性进行试验，该半导体元件在背面具有正极，在正面具有负极和控制电极，并根据输入到所述控制电极的控制信号而导通或截止，其中，所述半导体试验装置具备：试验载台，其对配置有多个所述半导体元件的晶圆进行固定，并且具有与多个所述半导体元件的正极电连接的正极的作用；N个恒流源，N是2以上的自然数；第1探针，其将所述半导体元件的负极与恒流源的负极连接；N个电极，它们配置在所述试验载台的外周，分别与N个恒流源中的对应的1个恒流源连接，作为N个电流供给点发挥功能；集电极感测端子，其配置在所述试验载台的外周；以及电压计，其测定所述集电极感测端子与所述恒流源的负极之间的电压。2.根据权利要求1所述的半导体试验装置，其中，所述半导体试验装置具备第2探针，该第2探针将所述半导体元件的控制电极与驱动电路连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体试验装置，其中，所述N个电极以均等角度的间隔配置在所述试验载台的外周上。4.根据权利要求1或2所述的半导体试验装置，其中，N＝2，并且2个所述电极构成为能够在外周上进行移动。5.根据权利要求1或2所述的半导体试验装置，其中，所述半导体试验装置具备配置于所述试验载台的外周的N个所述集电极感测端子，N个集电极感测端子各自与N个电极中的对应的电极之间的距离小于与N个电极中的其他全部电极之间的距离，所述电压计测定所述N个集电极感测端子各自与所述恒流源的负极之间的电压。6.根据权利要求5所述的半导体试验装置，其中，所述半导体试验装置还具备运算装置，该运算装置对由所述电压计测定出的N个电压进行平均。7.根据权利要求1或2所述的半导体试验装置，其中，从与所述N个电极中的最接近所述集电极感测端子的电极连接的恒流源输出的电流小于从其他恒流源输出的电流。8.一种半导体试验装置，其用于进行半导体元件的特性试验，该半导体元件在背面具有正极，在正面具有负极和控制电极，并根据输入到所述控制电极的控制信号而...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西学，高山幸一，上野和起，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：