本发明专利技术测量接合到半导体元件的连接部的接合强度。半导体元件包括半导体基板和接合焊盘。与该半导体基板相邻地部署有布线区域，该布线区域具有形成在其中的元件，并且具有传送元件的信号的布线。接合焊盘部署在与半导体基板去除区域相邻的布线区域中，半导体基板去除区域是半导体基板被去除的区域，所述接合焊盘连接到布线并且具有接合到其的用于连接到外部的连接部。该半导体基板去除区域包括用于测量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域。量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域。量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件、半导体设备和用于制造半导体元件的方法
[0001]本公开涉及半导体元件、半导体设备和用于制造半导体元件的方法。
技术介绍
[0002]在半导体元件中，使用通过布线接合与外部电路连接的半导体元件。该布线接合是将接合布线接合到部署在形成于构成半导体元件的半导体基板的前表面侧的布线区域中的焊盘的连接方法。可以通过加热金属接合布线并将其压靠在焊盘上来执行接合布线的接合。接合布线从与和半导体基板接触的表面不同的一侧被接合。
[0003]另一方面，已提出以下的半导体元件：在焊盘附近的半导体基板中形成开口部以露出焊盘，并且接合布线经由开口部从半导体基板的后表面侧被接合到焊盘。例如，在对照射到半导体基板的后表面侧的光进行成像的后表面照射型成像元件中，在半导体基板的后表面侧，部署形成有用于会聚入射光的透镜的透镜层和使透镜层的基底平坦化的平坦化膜。半导体基板的开口部需要在去除透镜层和平坦化膜之后形成。注意的是，布线接合焊盘部署在半导体基板的端部处。这是为了缩短接合布线长度。另外，围绕晶片状半导体基板部署作为使半导体基板从晶片单片化的切割刀片抵接的区域的切割线。随着半导体元件的尺寸缩小，用于布线接合的焊盘被部署得靠近切割线。切割线是形成在半导体基板中的线性凹槽，并且形成在透镜层和平坦化膜被去除之后的半导体基板中。
[0004]已提出了同时去除执行布线接合的区域和形成有切割线的区域中的透镜层和平坦化膜的半导体设备(参见例如专利文献1)。在该半导体设备中，布线接合的开口部和切割线的凹槽独立地形成在与透镜层和平坦化膜已被去除的开口部相邻的半导体基板中。
[0005]引用列表
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：JP 2016
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131179 A
技术实现思路
[0008]技术问题
[0009]为了确保通过布线接合的连接的可靠性，需要测量并管理焊盘和接合布线的接合强度。可以通过使接合到焊盘的接合布线断裂以测量强度的剪切强度测试来测量接合强度。通过利用测量仪器在与半导体基板的表面平行的方向上推动接合布线的接合部来执行该剪切强度测试。然而，在以上传统技术中，由于接合布线的接合部被部署在半导体基板的开口部中，因此存在的问题是接合布线不能被测量仪器推动并且接合强度不能被测量。
[0010]因此，本公开提出了测量从半导体基板的后表面侧连接并接合的接合布线的接合强度的半导体元件、半导体设备和用于制造半导体元件的方法。
[0011]问题的解决方案
[0012]根据本公开的半导体元件包括：半导体基板，在所述半导体基板中形成有元件并且与半导体基板相邻地部署有布线区域，所述布线区域具有传送元件的信号的布线；以及
接合焊盘，所述接合焊盘部署在与半导体基板去除区域相邻的布线区域中、连接到布线、并且与用于连接到外部的连接部接合，所述半导体基板去除区域是半导体基板被去除的区域，其中，半导体基板去除区域包括用于测量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域。
[0013]并且根据本公开的半导体设备包括：半导体基板，在所述半导体基板中形成有元件并且与半导体基板相邻地部署有布线区域，所述布线区域具有传送元件的信号的布线；接合焊盘，所述接合焊盘部署在与半导体基板去除区域相邻的布线区域中、连接到布线、并且与用于连接到外部的连接部接合，所述半导体基板去除区域是半导体基板被去除的区域；以及处理电路，所述处理电路处理传送的信号，其中，半导体基板去除区域包括用于测量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域。
[0014]并且根据本公开的用于制造半导体元件的方法包括：在形成有元件的半导体基板上部署布线区域的步骤，所述布线区域包括传送元件的信号的布线、以及连接到布线并且接合有用于与外部连接的连接部的接合焊盘；以及去除接合焊盘附近的区域中的半导体基板的步骤，其中，在去除半导体基板的步骤中，包括用于测量接合焊盘和连接部之间的接合强度的区域的区域被去除。
附图说明
[0015]图1是图示了根据本公开的实施例的成像元件的配置示例的视图。
[0016]图2是图示了根据本公开的实施例的成像元件的配置示例的平面图。
[0017]图3是图示了根据本公开的第一实施例的成像元件的配置示例的截面图。
[0018]图4是图示了根据本公开的实施例的剪切强度测试的示例的视图。
[0019]图5A是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0020]图5B是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0021]图5C是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0022]图5D是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0023]图5E是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0024]图5F是图示了用于制造根据本公开的第一实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0025]图6A是图示了根据本公开的实施例的成像元件的另一配置示例的视图。
[0026]图6B是图示了根据本公开的实施例的成像元件的另一配置示例的视图。
[0027]图6C是图示了根据本公开的实施例的成像元件的另一配置示例的视图。
[0028]图7是图示了根据本公开的第二实施例的成像元件的配置示例的截面图。
[0029]图8A是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0030]图8B是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视
图。
[0031]图8C是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0032]图8D是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0033]图8E是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0034]图8F是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0035]图8G是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0036]图8H是图示了用于制造根据本公开的第二实施例的成像元件的方法的示例的视图。
[0037]图9是图示了根据本公开的第三实施例的成像元件的配置示例的截面图。
[0038]图10是图示了根据本公开的第四实施例的成像元件的配置示例的截面图。
[0039]图11是图示了根据本公开的第四实施例的成像元件的另一配置示例的截面图。
[0040]图12是图示了根据本公开的第四实施例的成像元件的另一配置示例的截面图。
[0041]图13是图示了可以应用根据本公开的技术的成像设备的配置示例的视图。
具体实施方式
[0042]下文中，将参照附图来详细地描述本公开的实施例。将按以下顺本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体元件，包括：半导体基板，在所述半导体基板中形成有元件并且与所述半导体基板相邻地部署有布线区域，所述布线区域具有传送所述元件的信号的布线；以及接合焊盘，所述接合焊盘部署在与半导体基板去除区域相邻的所述布线区域中、连接到所述布线、并且与用于连接到外部的连接部接合，所述半导体基板去除区域是所述半导体基板被去除的区域，其中，所述半导体基板去除区域包括用于测量所述接合焊盘和所述连接部之间的接合强度的区域。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体基板去除区域包括部署有用于推动并剪切所述连接部以用于所述接合强度的测量的仪器的区域。3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体基板去除区域包括被推动以测量所述接合强度的所述连接部移动的区域。4.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括贯穿绝缘部，所述贯穿绝缘部部署在所述半导体基板去除区域附近并且由具有贯穿所述半导体基板的形状的绝缘体制成。5.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括部署在所述半导体基板的与所述半导体基板去除区域相邻的表面上的绝缘膜。6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体基板去除区域是所述半导体基板的端部被去除的区域。7.根据权利要求6所述的半导体元件，还包括沿着所述布线区域的端部部署的布线区域保护部。8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中，所述布线区域保护部包括金属构件，所述金属构件被嵌入在所述布线区域的与所述半导体基板去除区域相邻的表面中。9.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，多个接合焊盘部署在所述布线区域中，并且所述半导体基板去除区域是...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋山健太郎，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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