LED芯片光电数据的分行修正方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片光电数据的分行修正方法，包括以下步骤：选取晶圆中某一晶粒为原点，并建立直角坐标系，通过测试机测得晶圆的光电数据，抽取晶圆中横坐标相同的一列的晶粒的晶粒作为试样，通过标准机测得试样的标准光电数据，选取测试机测得的对应晶粒的光电数据作为非标准光电数据；沿试样中晶粒的纵坐标将整个晶圆分行，通过试样中晶粒的标准光电数据和非标准光电数据，得到所有行的误差集；通过误差集分行修正测试机测得的整个晶圆的光电数据。本发明专利技术提供的分行修正方法解决了不同测试机之间测试差异性的问题，提高LED芯片光电数据的准确性，提高芯片出厂品控。提高芯片出厂品控。提高芯片出厂品控。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片光电数据的分行修正方法


[0001]本专利技术涉及芯片数据校正
，具体涉及一种LED芯片光电数据的分行修正方法。

技术介绍

[0002]LED芯片(晶圆)在经过芯片COW、COT制程加工后需要进一步使用测试机测试出光电数据才能出货给客户或是进行下一步的细分BIN流程，所以测试光电数据的准确性和一致性是衡量芯片产品品质的关键指标。
[0003]目前各大芯片厂使用的测试机品牌不同或是同品牌下机型不同，不同机型以及同机型下的不同机台测试同一片晶圆的光电数据(主要指电压、波长、亮度)也不完全一致，例如测试机MAC_1、MAC_2、MAC_3测试WAFER1的亮度均值分别为100mw、105mw、95mw，如果以MAC_1的测试结果为标准，MAC_2、MAC_3与MAC_1测试误差均达到了5％，而大多数芯片厂出货的亮度值误差不能超出
±
3％。
[0004]为了解决上述误差问题，各芯片厂传统的机台校准方式为在生产过程中均会使用标准机对测试机进行日常校准，尽量确保各测试机处于同一测试标准层面，但是测试机随着运行时间的推移，性能会有所波动，测试结果也会发生变化，同时工厂在综合考虑生产成本的情况下，不会安排过多的人员提高校正频率，大多数情况下单台机的校准周期为1天，如果在一个校准周期内存在较大的机台波动或其他异常会极有可能导致最终的测试结果偏出误差管控范围。
[0005]因此解决任何时间内不同测试机之间测试差异性的问题对于提高LED芯片光电参数的准确性具有重要的意义
[0006]综上所述，急需一种LED芯片光电数据的分行修正方法以解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0007]本专利技术目的在于提供一种LED芯片光电数据的分行修正方法，具体技术方案如下：
[0008]LED芯片光电数据的分行修正方法，包括以下步骤：
[0009]S1：选取晶圆中某一晶粒为原点，并建立直角坐标系，通过测试机测得晶圆的光电数据，抽取晶圆中横坐标相同的一列的晶粒的晶粒作为试样，通过标准机测得试样的标准光电数据，选取测试机测得的对应晶粒的光电数据作为非标准光电数据；
[0010]S2：沿试样中晶粒的纵坐标将整个晶圆分行，通过试样中晶粒的标准光电数据和非标准光电数据，得到所有行的误差集K＝(K1，K2，
…
，K
m
)，m表示总行数；
[0011]S3：通过误差集K分行修正测试机测得的整个晶圆的光电数据。
[0012]优选的，所述步骤S1还包括数据剔除，具体如下：设置数据剔除条件，遍历所有非标准光电数据，剔除符合数据剔除条件的非标准光电数据以及对应的标准光电数据。
[0013]优选的，所述光电数据包括亮度值、电压以及波长。
[0014]优选的，所述数据剔除条件的表达式如下：(VF
cn
>VF
a orVF
cn
<VF
b
)or(LOP
cn
>LOP
a or LOP
cn
<LOP
b
)or(WD
cn
>WD
a or WD
cn
<WD
b
)or(IR
cn
>IR
a
)；其中，n表示试样中晶粒所处行的序号，LOP
cn
表示第n行试样亮度值非标准光电数据，VF
cn
表示第n行试样电压非标准光电数据，WD
cn
表示第n行试样波长非标准光电数据，VF
a
表示电压上阈值，VF
b
表示电压下阈值，LOP
a
表示亮度值上阈值，LOP
b
表示亮度值下阈值，WD
a
表示波长上阈值，WD
b
表示波长下阈值，IR
cn
表示电流非标准光电数据，IR
a
表示击穿电流。
[0015]优选的，所述误差集K
n
＝(K
n1
、K
n2
、K
n3
)，
[0016]K
n1
表达式如下：
[0017]K
n2
表达式如下：K
n2
＝VF
sn
‑
VF
cn
；
[0018]K
n3
表达式如下：K
n3
＝WD
sn
‑
WD
cn
；
[0019]其中，所述K
n1
表示第n行试样亮度修正均值,1≦n≦m，K
n2
表示第n行试样电压修正均值，K
n3
表示第n行试样波长修正均值；LOP
sn
表示第n行试样亮度值标准光电数据，VF
sn
表示第n行试样电压标准光电数据，WD
sn
表示第n行试样波长标准光电数据。
[0020]优选的，所述亮度值的修正表达式如下：LOP*
cn
＝LOP
cn
×
K
n1
；所述电压的修正表达式如下：VF*
cn
＝VF
cn
+K
n2
：所述波长的修正表达式如下：WD*
cn
＝WD
cn
+K
n3
；其中，LOP*
cn
表示修正后的亮度值非标准光电数据，VF*
cn
表示修正后的电压非标准光电数据，WD*
sn
表示修正后的波长非标准数据。
[0021]应用本专利技术的技术方案，具有以下有益效果：
[0022](1)本专利技术提供的分行修正方法以晶圆中的同一列晶粒作为试样，通过测得其标准光电数据以及非标准光电数据，计算得到用于修正的误差集，并通过误差集分行修正非标准机测得的整个晶圆中所有晶粒的光电数据，从而解决不同测试机之间测试差异性的问题，提高LED芯片光电数据的准确性，提高芯片出厂品控。
[0023](2)本专利技术中还设置有数据剔除步骤，通过设置数据剔除条件，剔除符合数据剔除条件的非标准光电数据以及对应的标准光电数据，从而增强用于修正的误差集的可靠性，排除异常数据，提高修正后晶圆光电数据的一致性。
[0024](3)本专利技术所选取的作为试样的晶粒来自同一晶圆的同一列，方便在标准机测得试样的标准光电数据的同时，选取测试机测得的对应晶粒的光电数据作为非标准光电数据
[0025]除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。
附图说明...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.LED芯片光电数据的分行修正方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选取晶圆中某一晶粒为原点，并建立直角坐标系，通过测试机测得晶圆的光电数据，抽取晶圆中横坐标相同的一列的晶粒的晶粒作为试样，通过标准机测得试样的标准光电数据，选取测试机测得的对应晶粒的光电数据作为非标准光电数据；S2：沿试样中晶粒的纵坐标将整个晶圆分行，通过试样中晶粒的标准光电数据和非标准光电数据，得到所有行的误差集K＝(K1，K2，
…
，K
m
)，m表示总行数；S3：通过误差集K分行修正测试机测得的整个晶圆的光电数据。2.根据权利要求1所述的分行修正方法，其特征在于，所述步骤S1还包括数据剔除，具体如下：设置数据剔除条件，遍历所有非标准光电数据，剔除符合数据剔除条件的非标准光电数据以及对应的标准光电数据。3.根据权利要求2所述的分行修正方法，其特征在于，所述光电数据包括亮度值、电压以及波长。4.根据权利要求3所述的分行修正方法，其特征在于，所述数据剔除条件的表达式如下：(VF
cn
>VF
a or VF
cn
<VF
b
)or(LOP
cn
>LOP
a or LOP
cn
<LOP
b
)or(WD
cn
>WD
a or WD
cn
<WD
b
)or(IR
cn
>IR
a
)；其中，n表示试样中晶粒所处行的序号，LOP
cn
表示第n行试样亮度值非标准光电数据，VF
cn
表示第n行试样电压非标准光电数据，WD
cn
表示第n行试样波长非标准光电数据，VF
a
表示电压上阈值，VF
b
表示电压下阈值，LOP
a
表示亮度值上阈值，LOP
b
...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭超，黄胜蓝，谈健，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：