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本发明描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明描述一种可用于产生铝离子束的离子源。的离子源。的离子源。
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该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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