半导体存储器装置制造方法及图纸

根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠式主体，其包含逐个交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层以及阶梯状部分，在所述阶梯状部分中，所述多个导电层被处理成阶梯形状；及多个第二柱，其在所述堆叠式主体中在所述阶梯状部分中延伸，其中所述多个第二柱中的每一者包含：第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿堆叠方向延伸；半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的侧壁；第三绝缘层，其安置成与所述半导体层的侧壁接触且覆盖所述半导体层的所述侧壁；及第四绝缘层，其安置成与所述第三绝缘层的侧壁接触且覆盖所述第三绝缘层的所述侧壁。壁。壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案基于并主张于2021年12月17日提出申请的第2021
‑
205073号日本专利申请案的优先权权益；所述日本专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本文中所描述的实施例一般来说涉及一种半导体存储器装置。

技术介绍

[0004]在半导体存储器装置(例如三维非易失性存储器)中，存储器单元三维地布置成其中多个导电层与多个绝缘层交替堆叠的堆叠式主体。然而，堆叠式主体沿堆叠方向部分地下沉，这导致堆叠式主体可能具有不平坦上部表面。

技术实现思路

[0005]一般来说，根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠式主体，其包含逐个交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层且包含阶梯状部分，在所述阶梯状部分中，所述多个导电层被处理成阶梯形状；第一柱，其沿所述堆叠式主体的堆叠方向在所述堆叠式主体中沿与所述堆叠方向相交的第一方向延伸远离所述阶梯状部分且在与所述多个导电层的至少一部分的每一相交点处形成存储器单元；及多个第二柱，其在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，其包括：堆叠式主体，其包含逐个交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层且包含阶梯状部分，在所述阶梯状部分中，所述多个导电层被处理成阶梯形状；第一柱，其沿所述堆叠式主体的堆叠方向在所述堆叠式主体中沿与所述堆叠方向相交的第一方向延伸远离所述阶梯状部分且在与所述多个导电层的至少一部分的每一相交点处形成存储器单元；及多个第二柱，其在所述堆叠式主体中在所述阶梯状部分中沿所述堆叠方向延伸，其中所述多个第二柱中的每一者包含第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿所述堆叠方向延伸，半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的侧壁，第三绝缘层，其安置成与所述半导体层的侧壁接触且覆盖所述半导体层的所述侧壁，及第四绝缘层，其安置成与所述第三绝缘层的侧壁接触且覆盖所述第三绝缘层的所述侧壁，且所述第三与第四绝缘层含有同一种材料。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括第一板部件及第二板部件，其在所述堆叠式主体中在沿与所述堆叠方向及所述第一方向相交的第二方向彼此远离的位置处沿所述堆叠方向及所述第一方向延伸，其中所述多个第二柱分散地布置于所述第一与第二板部件之间。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：接点，其安置于所述阶梯状部分中且连接到所述多个导电层中的一者；及多个第三柱，其在所述堆叠式主体中在所述阶梯状部分中比所述多个第二柱更接近于所述接点的位置处沿所述堆叠方向延伸，其中所述多个第三柱中的每一者包含所述第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿所述堆叠方向延伸，所述半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的所述侧壁，所述第三绝缘层，其安置成与所述半导体层的所述侧壁接触且覆盖所述半导体层的所述侧壁，第五绝缘层，其安置成与所述第三绝缘层的所述侧壁接触且覆盖所述第三绝缘层的所述侧壁，及所述第四绝缘层，其安置成与所述第五绝缘层的侧壁接触且覆盖所述第五绝缘层的所述侧壁，且所述第五绝缘层含有与所述第三及第四绝缘层的材料种类不同的材料。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中所述第三及第四绝缘层是氧化物层，且所述第五绝缘层是氮化物层。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其进一步包括：第六绝缘层，其覆盖所述阶梯状部分中处理成所述阶梯形状的所述多个导电层的上部侧且具有基本上齐平的上部表面；及第七绝缘层，其沿着所述阶梯状部分中的所述多个导电层的所述阶梯形状安置于所述
多个导电层与所述第六绝缘层之间，含有与所述第五绝缘层的材料种类相同的材料，且与所述第六绝缘层一起被所述接点穿透。6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中在从所述堆叠方向观看时，所述多个第三柱环绕所述接点。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其进一步包括第一板部件及第二板部件，其在所述堆叠式主体中在沿与所述堆叠方向及所述第一方向相交的第二方向彼此远离的位置处沿所述堆叠方向及所述第一方向延伸，其中所述多个第二柱的至少一部分是沿着所述第一及第二板部件布置。8.一种半导体存储器装置，其包括：堆叠式主体，其包含逐个交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层且包含阶梯状部分，在所述阶梯状部分中，所述多个导电层被处理成阶梯形状；第一柱，其沿所述堆叠式主体的堆叠方向在所述堆叠式主体中沿与所述堆叠方向相交的第一方向延伸远离所述阶梯状部分且在与所述多个导电层的至少一部分的每一相交点处形成存储器单元；及多个第二柱，其在所述堆叠式主体中在所述阶梯状部分中沿所述堆叠方向延伸，其中所述第一柱包含第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿所述堆叠方向延伸，半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的侧壁，第三绝缘层，其覆盖所述半导体层的侧壁，第四绝缘层，其覆盖所述第三绝缘层的侧壁，及电荷累积层，其含有与所述第三及第四绝缘层的绝缘材料种类不同的绝缘材料且插置于所述第三与第四绝缘层之间，且所述多个第二柱中的每一者包含所述第二绝缘层，其在所述堆叠式主体中沿所述堆叠方向延伸，所述半导体层，其覆盖所述第二绝缘层的所述侧壁，所述第三绝缘层，其覆盖所述半导体层的所述侧壁，...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村贵仁，西川拓也，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：