晶圆级腔体式封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆，并将键合金属层与可伐合金墙键合，以使盲腔与芯片晶圆之间形成为真空腔体，且该真空腔体内的芯片晶圆上设置有芯片。以可伐合金材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔，避免在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，工艺简单且成本低廉，还能明显提高产品屏蔽性能和散热性，提高产品良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级腔体式封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于芯片晶圆级封装
，特别是涉及一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在集成电路芯片生产过程中，芯片封装是十分重要的环节。由于芯片上的特征尺寸非常微小，金属触点难以直接与电路板上的导线连接，需要通过封装技术将芯片上的触点与电路板之间建立连接。此外，在实际使用时，芯片一般需要进行保护，以防止意外碰损。传统的芯片封装是将预先加工并分割好的单个芯片固定在封装管壳内，通过引线键合技术将芯片上的触点与封装管壳上的电引脚连接，最后灌入绝缘封装材料或加盖板密封。随着半导体制造工艺的发展，晶圆级封装(Wafer Lever Packaging，WLP)被开发出来用于提高集成度和降低芯片制造成本，该技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片几乎一致。与传统的管壳级封装相比，晶圆级封装的芯片体积更小，制造成本更低，也更适合应用于小型移动应用或高集成度系统之中。
[0003]近年，微机电系统(Mico
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级腔体式封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的所述可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两所述盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆，并将所述芯片晶圆上的所述键合金属层与所述可伐合金晶圆上的所述可伐合金墙键合，以使所述盲腔与所述芯片晶圆之间形成为真空腔体，且该真空腔体内的所述芯片晶圆上设置有芯片。2.根据权利要求1所述的晶圆级腔体式封装结构的制备方法，其特征在于：将所述芯片晶圆上的所述键合金属层与所述可伐合金晶圆上的所述可伐合金墙键合前，对所述芯片晶圆进行减薄至预设厚度。3.根据权利要求1所述的晶圆级腔体式封装结构的制备方法，其特征在于：采用机械加工工艺或湿法腐蚀工艺形成所述盲腔。4.根据权利要求3所述的晶圆级腔体式封装结构的制备方法，其特征在于：所述机械加工工艺为激光刻蚀。5.根据权利要求1所述的晶圆级腔体式封装结构的制备方法，其特征在于，还包括划片步骤，将键合有所述可伐合金晶圆的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖克来提，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：