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本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法,该制备方法包括:提供可伐合金晶圆,并对其进行减薄至预设厚度;于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔,相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙;提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆,并...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法,该制备方法包括:提供可伐合金晶圆,并对其进行减薄至预设厚度;于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔,相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙;提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆,并...