一种MEMS器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS器件的制备方法，该制备方法包括提供基底，并在基底上至少依次形成第一结构层、牺牲层和第二结构层；牺牲层具有至少一个贯穿牺牲层的开口，且开口暴露第一结构层，第二结构层包括位于开口内的第一分部和位于开口外的第二分部；去除牺牲层，以在第一结构层和第二分部之间形成间隙；其中，去除牺牲层的步骤包括多个干法处理周期，每个干法处理周期包括：采用灰化气体对牺牲层进行等离子体灰化处理；静置MEMS器件预设时间以排出等离子体灰化处理阶段产生的挥发性气体。本发明专利技术实施例的技术方案可以提高牺牲层的去除速率和去除的干净程度，降低对器件的损伤，降低对器件的使用寿命和可靠性的影响。器件的使用寿命和可靠性的影响。器件的使用寿命和可靠性的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MEMS器件的制备方法。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical Systems，微机电系统/微机械/微系统)是一种多学科交叉的新兴技术，主要涉及微加工技术、机械学/固体声波理论，热流理论，电子学，生物学等诸多学科领域，在国防、航空航天、医疗、信息通信、汽车等领域都具有应用前景，因而倍受人们的关注。
[0003]MEMS设计往往会采用常见的机械零件和工具所对应的微观模拟元件，使得MEMS器件可能包含通道、孔、悬臂、膜、腔或其它悬空结构。MEMS器件制备过程中，通常借助牺牲层技术实现悬空结构，具体的，首先利用牺牲层为悬空结构(例如悬臂)提供支撑作用，最后再将牺牲层去除，以释放悬空结构。示例性的，牺牲层可以是光刻胶。
[0004]现有技术常常采用干法工艺或者湿法工艺去除牺牲层，但是，对于需要形成悬空结构的MEMS器件而言，采用传统的干法工艺或者湿法工艺去除牺牲层，往往存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，并在所述基底上至少依次形成第一结构层、牺牲层和第二结构层；所述牺牲层具有至少一个贯穿所述牺牲层的开口，且所述开口暴露所述第一结构层，第二结构层包括位于开口内的第一分部和位于开口外的第二分部；去除所述牺牲层，以在所述第一结构层和所述第二分部之间形成间隙；其中，去除所述牺牲层的步骤包括多个干法处理周期，每个所述干法处理周期包括：采用灰化气体对所述牺牲层进行等离子体灰化处理；静置所述MEMS器件预设时间以排出所述等离子体灰化处理阶段产生的挥发性气体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述牺牲层进行等离子体灰化处理之前，所述干法处理周期还包括：采用活化气体对所述牺牲层进行等离子体活化处理。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述灰化气体的气体流量为1000sccm～10000sccm；所述活化气体的气体流量为500sccm～1000sccm；所述等离子体灰化处理和所述等离子体活化处理中，射频功率均为200W～1100W，腔室压力均为0.3Torr～3Torr，腔室温度均为100℃～300℃。4.根据权利要求3所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政勋，郭轲科，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：