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本发明公开了一种MEMS器件的制备方法，该制备方法包括提供基底，并在基底上至少依次形成第一结构层、牺牲层和第二结构层；牺牲层具有至少一个贯穿牺牲层的开口，且开口暴露第一结构层，第二结构层包括位于开口内的第一分部和位于开口外的第二分部；去除牺...
该专利属于无锡邑文电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡邑文电子科技有限公司授权不得商用。

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