一种芯片封装体分离切割方法技术

本发明专利技术申请公开了一种芯片封装体分离切割方法，包括以下步骤：开槽步骤：将封装体的芯片面朝下放置，蚀刻封装体远离芯片面的一面，在切割道位置均匀蚀刻出槽口；贴膜步骤：将封装体开槽口的一面朝下放置并贴在水平的固定膜上；切割步骤：控制刀片的切割高度，刀片在切割道位置切割封装体至槽口；去膜步骤：将切割完成的产品脱离固定膜，本发明专利技术申请从根本上解决了小封装产品使用Tape saw过程的残胶问题；取消残胶清洗过程，节约封装的清洗成本和人员成本；极大的缩小了Tape saw工艺对UV膜种类的选择范围，可以使用国产化替代，极大的降低了UV膜的成本；激光的开槽工艺和设备的成熟为一次性投入降低了物料的消耗成本。次性投入降低了物料的消耗成本。次性投入降低了物料的消耗成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装体分离切割方法


[0001]本专利技术申请属于芯片封装切割
，尤其涉及一种芯片封装体分离切割方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能也越来越丰富，相对应的，芯片加工的整个流程中，各个工艺环节的要求度也越来越高，芯片成品整体封装为封装体之后，还需要进行最终的成品切割，将封装体整体分离为单个的产品。
[0003]在现有的封装过程中，产品最终的成型切割主要分为Jip saw和Tape saw，其中Jip saw是指全自动划片切割，因为设备能力的限制，其主要是用于大尺寸和大批量封装体的切割，而Tape saw是指手动划片切割，适用于小尺寸和小批量封装体的切割，为了满足市场需求，节约封装集成空间，本公司的设计封装体尺寸较小，故使用Tape saw的频率较多，具体的，该工艺在切割时为保证产品成型的要求，刀片和器件固定膜是必不可少的条件，流程为：将封装体底部贴片在固定膜上，刀片在封装体切割道位置垂直于封装体表面向下切割，由于封装体底部与固定胶直接接触，且刀片和设备能力差别容易导致固定膜被切割产生残胶，残胶粘附在产品上不易分离，会导致器件的污染，影响产品测试，客户端抛料增加。
[0004]为解决上述问题，封装厂一般在切割工艺中导入残胶清洗工艺，对切割的产品进行清洗液的浸泡或者喷淋，残胶清洗的步骤又引入了设备的投入，同时还需要对耗材清洗液进行周期性的评估和管理，清洗同时也影响产品的寿命，延长交货期，对企业的损失增加，生产成本增加，故亟需一种芯片封装体分离切割方法，来降低企业的生产成本。

技术实现思路

[0005]为解决上述现有技术中切割残胶的问题，本专利技术申请提供了一种芯片封装体分离切割方法。
[0006]为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种芯片封装体分离切割方法，包括以下步骤：开槽步骤：将封装体的芯片面朝下放置，蚀刻封装体远离芯片面的一面，在切割道位置均匀蚀刻出槽口；贴膜步骤：将封装体开槽口的一面朝下放置并贴在水平的固定膜上；切割步骤：控制刀片的切割高度，刀片在切割道位置切割封装体至槽口；去膜步骤：将切割完成的产品脱离固定膜。
[0007]进一步，所述开槽步骤中，槽口的深度范围为封装体高度的0.15～0.35倍，槽口的宽度范围为切割道宽度的0.4～1倍。
[0008]进一步，所述切割步骤中，刀片距离固定膜的最低切割高度≦槽口深度。
[0009]进一步，所述切割步骤中，刀片从封装体芯片面沿着切割道垂直向下切割。
[0010]进一步，所述去膜步骤中，还包括辅助剥离步骤和检验步骤。
[0011]进一步，所述辅助剥离步骤中，使用超声波辅助剥料，单个产品在振动下发生掉落剥料。
[0012]进一步，所述检验步骤中，检查剥完料的固定膜完整情况和单个产品上的残胶情况。
[0013]进一步，所述开槽步骤中，使用激光器进行激光蚀刻出槽口或者湿法蚀刻出槽口。
[0014]进一步，所述开槽步骤中，使用预切刀进行切割蚀刻出槽口，且预切刀的宽度大于刀片宽度。
[0015]本专利技术申请：通过在封装体底部预先形成一定宽度和高度的槽口，在切割道切割封装体至槽口，从根本上解决了小封装产品使用Tape saw过程的残胶问题；取消残胶清洗过程，节约封装的清洗成本和人员成本；极大的缩小了Tape saw工艺对UV膜种类的选择范围，可以使用国产化替代，极大的降低了UV膜的成本；激光的开槽工艺和设备的成熟为一次性投入降低了物料的消耗成本。
附图说明
[0016]图1为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的待切割产品截面图；图2为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例一的切割道开槽口的截面图；图3为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例一的产品切割时的截面图；图4为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例一的剥料时的截面图；图5为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例二的预切时的截面图；图6为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例二的产品切割时的截面图。
[0017]图中标记说明：封装体1、芯片2、槽口3、固定膜4、切割道5。
具体实施方式
[0018]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具体特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0020]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0021]以DFN封装体产品为例，传统的Tape saw切割方式为：将封装体1的芯片2面面向水
平放置的固定膜4进行固定粘接，然后使用一定宽度的刀片在封装体1的切割道5进行切割，切割刀片需要将封装体1完全切割分离开，但是底部的封装体1与固定膜4直接粘接在一起，容易将固定膜4也切割到，固定膜4的厚度和软硬度很容易切割，经常会将固定膜4切断，而产生残胶，需要增加清洗设备来保证残胶的去除，由于设备精度和人员操作的误差，很难通过控制刀片的切割进程来减少残胶，且这种直接切割的方式对固定膜的特性也有一定的要求，我司一般使用日本进口的UV固定膜，进口的UV膜较国产UV相比，由紫外线照射能够控制瞬间的黏着力能力更好，使用较小的力道也能轻松的剥料；几乎没有因为紫外线照射造成胶带伸缩性不佳的问题，显示其充分的延展性能够防止芯片因接触而破损；减少高速切割方式切割时胶带断片情况，产品性能稳定，同样的价格也较贵，成本得不到控制。
[0022]为了更好地了解本专利技术申请的目的、结构及功能，下面结合附图1
‑
6，对本专利技术申请提出的一种芯片封装体分离切割方法，做进一步详细的描述。
实施例一
[0023]请参阅图1
‑
附图4，为本专利技术申请一种芯片封装体分离切割方法的实施例一的各个流程的截面图，包括以下步骤：开槽步骤：将封装体1的芯片2面朝下放置，蚀刻封装体1远离芯片2面的一面，在切割道5位置均匀蚀刻出槽口3；贴膜步骤：将封装体1开槽口3的一面朝下放置并贴在水平的固定膜4上；切割步骤：控制刀片的切割高度，刀片在切割道5位置切割封装体1至槽口3；去膜步骤：将切割完成的产品脱离固定膜4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装体分离切割方法，其特征在于，包括以下步骤：开槽步骤：将封装体的芯片面朝下放置，蚀刻封装体远离芯片面的一面，在切割道位置均匀蚀刻出槽口；贴膜步骤：将封装体开槽口的一面朝下放置并贴在水平的固定膜上；切割步骤：控制刀片的切割高度，刀片在切割道位置切割封装体至槽口；去膜步骤：将切割完成的产品脱离固定膜。2.根据权利要求1所述的芯片封装体分离切割方法，其特征在于，所述开槽步骤中，槽口的深度范围为封装体高度的0.15～0.35倍，槽口的宽度范围为切割道宽度的0.4～1倍。3.根据权利要求2所述的芯片封装体分离切割方法，其特征在于，所述切割步骤中，刀片距离固定膜的最低切割高度≦槽口深度。4.根据权利要求3所述的芯片封装体分离切割方法，其特征在于，所述切割步骤中，刀片从封装体芯片面沿着切割道垂直向下切割。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：