管芯结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及从晶圆上切割管芯的方法及相应的管芯结构，这里晶圆包括由第一方向与第二方向的切片线分开的多个管芯，还包括位于所述切片线之下的硅层以及金属层。该方法包括利用第一能量密度激光脉冲扫描所述切片线以切割所述切片线及其下方的金属层以及硅层的一部分，其中所述第一能量密度激光脉冲在所述金属层产生等离子体；通过持续所述第一能量密度激光脉冲扫描来加热所述等离子体至第一温度，引起所述等离子体爆炸扩散以在所述硅层的所述一部分的表面上形成具有不规则表面粗糙度的表面。表面。表面。

【技术实现步骤摘要】
管芯结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制作，尤其是涉及制造过程中的晶圆切割技术。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，当在晶圆上生成了管芯之后，通常需要对晶圆进行切割以分离各个管芯(这里“管芯”也称为“裸片”或“裸晶”)，并继续后续的处理，例如通常利用倒装芯片(Flip Chip)工艺将管芯粘结至基板上。图1示意性地示出了生长有管芯Die的晶圆的俯视图，可以看到晶圆上的各管芯由晶圆上的横向划片线hSL与纵向划片线vSL分隔开，这里的划片线可由例如无机物形成。图2A示出该晶圆一部分的截面图，其中仅示出二个管芯Die1与Die2，每个管芯包括多个触点C(这里图中仅示意性地分别示出一个触点C1与C2)以及集成电路部分(图中分别由T1与T2表示)，并且在划片线SL下方，还包括为各管芯提供的金属层Me以及硅层Si，金属层Me以及硅层Si也形成管芯结构的一部分。在本专利技术中，将划片线SL(包括横向划片线hSL与纵向划片线vSL)及其下方的金属层Me与硅层Si也统称为街区。这里需要注意的是，图2A中所示出的划片线SL、金属层Me以及硅层S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯结构，包括至少一个管芯，其中每个管芯进一步包括：金属层；位于所述金属层之下的硅层；其中所述硅层包括具有不规则表面粗糙度的表面。2.如权利要求1的管芯结构，其中具有不规则表面粗糙度的表面包括：围绕所述管芯的边沿且具有第一粗糙度的第一表面；位于所述第一表面与所述边沿之间且具有第二粗糙度的第二表面，其中第二粗糙度小于第一粗糙度。3.如权利要求2的管芯结构，其中，其中所述第一表面相对于第二表面具有高度差，其中所述第一表面为不规则表面，而所述第二表面是规则表面。4.如权利要求2的管芯结构，其中所述表面包括沿着第一方向切割形成的至少一个第一区域与沿着第二方向切割形成的的至少一个第二区域，其中所述第一区域的尺寸大于所述第二区域的尺寸，其中所述第一区域与第二区域的每一个包含所述第一表面的一部分以及第二表面的一部分。5.如权利要求1的管芯结构，其中所述不规则表面通过如下方式生成：利用一激光脉冲扫描晶圆上的街区以切割所述街区中的切片线、金属层以及硅层的一部分，其中所述晶圆包括由纵、横切片线分开的多个半导体管芯，其中所述激光脉冲在所述金属层产生等离子体；利用所述激光脉冲持续加热所述等离子体至第一温度以引起所述等离子体爆炸扩散以在所述硅层的所述一部分表面上形成所述不规则表面。6.如权利要求2
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4之一的管芯结构，其中所述管芯结构从晶圆切割得到，所述晶圆包括由纵、横划片线分开的多个半导体管芯以及位于切片线下方的金属层以及硅层，其中每条切片线包括与管芯边沿相邻的毗邻区以及位于毗邻区之间的中间区；其中所述不规则表面通过如下方式生成：利用第一能量密度激光脉冲扫描所述中间区以在所述硅层的所述一部分上形成第一表面；利用第二能量密度激光脉扫描所述毗邻区以在所述硅层的所述一部分上形成所述第二表面；其中所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面的粗糙度。7.如权利要求6的管芯结构，其中：所述第一能量密度激光脉冲与第二能量密度激光脉冲被控制为扫描所述纵、横划片线中的一个划线片的中间区与毗邻区以形成所述第一区域；以及所述第一能量密度激光脉冲与第二能量密度激光脉冲被控制为扫描所述纵、横划片线中的另一个划线片中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天行，戴杨，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：