碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体芯片制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体芯片。提供能够对接合材料向芯片侧面的攀升进行抑制，由此能够对生产率降低进行抑制的碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体装置的制造方法中，准备半导体晶片，在半导体晶片形成半导体元件，在半导体晶片的一个主面形成在底部具有圆角的沟槽，在底部具有圆角的沟槽的位置处进行切割而将半导体元件单片化。体元件单片化。体元件单片化。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体芯片


[0001]本专利技术涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体芯片。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了在形成有器件部的碳化硅(下面，也称为SiC)衬底形成沟槽，沿沟槽将碳化硅衬底解理，将器件部单片化的方法。
[0003]专利文献1：日本特开2009
‑
206221号公报
[0004]在现有技术中，由于接合材料攀升至芯片侧面，因此存在生产率降低这样的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决上述那样的问题而提出的，提供能够对接合材料向芯片侧面的攀升进行抑制，由此能够对生产率降低进行抑制的碳化硅半导体装置的制造方法。
[0006]在本专利技术的碳化硅半导体装置的制造方法中，准备半导体晶片，在半导体晶片形成半导体元件，在半导体晶片的一个主面形成在底部具有圆角的沟槽，在底部具有圆角的沟槽的位置处进行切割而将半导体元件单片化。
[0007]专利技术的效果
[0008]本专利技术提供能够对接合材料向芯片侧面的攀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其中，准备半导体晶片，在所述半导体晶片形成半导体元件，在所述半导体晶片的一个主面形成在底部具有圆角的沟槽，在所述底部具有圆角的沟槽的位置处进行切割而将所述半导体元件单片化。2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，在所述底部具有圆角的沟槽的宽度大于或等于10μm。3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，在形成了成为在所述底部具有圆角的沟槽的沟槽后，通过进行热处理，从而形成所述圆角。4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，在所述底部具有圆角的沟槽的侧面是倾斜的，通过所述倾斜，在所述底部具有圆角的沟槽的开口侧比底面侧宽。5.根据权利要求1至4中任一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，在所述底部具有圆角的沟槽的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：田所千广，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：