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本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体芯片。提供能够对接合材料向芯片侧面的攀升进行抑制，由此能够对生产率降低进行抑制的碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体装置的制造方法中，准备半导体晶片，在半导体晶片形成半导体元件，在半导...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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