【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请属于封装设计，尤其涉及一种厚金属分层电镀结构及其方法。
技术介绍
1、芯片封装工艺是指将晶圆上的芯片封装成具有引脚和外壳的电子元器件，电镀工艺是其中一个重要环节，可以增强引脚的耐腐蚀性、导电性和焊接性，同时还能提高外观质量和亮度，电镀包括电镀封装体的电路层、引脚的电镀保护等，对于大功率、高压、变压器等芯片产品由于电流特性和功率要求，电镀时必须要镀较厚的金属层，来实现电路的承载等要求，但是这类芯片电源隔离间距较大时，电镀厚层的边缘存在尖端效应（如附图1所示），尖端效应也称为边缘效应，是因为待电镀的产品表面边沿电解液流动速率高，或者说边沿、棱角处与电解液的接触面积更大，造成边沿处电活性物质浓度高，电沉积更容易，从而导致电镀厚层边缘位置出现边缘效应这一问题，尖端效应容易导致电镀厚层的边缘厚度超标和边缘凸出变形，整个厚度甚至可以达到标准电镀厚度的2～3倍，超厚会严重影响电镀厚层与上层的电性安全间距，附图1中将电镀厚层的边缘凸出厚度值标识为a1。
2、故，亟待提供一种厚金属分层电镀结构及其方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中电镀层由于电镀时边缘效应的影响，出现边缘厚度超标和凸出变形的情况，导致产品电性安全间距不足的问题，本专利技术申请提供了一种厚金属分层电镀结构及其方法。
2、为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种厚金属分层电镀结构，包括第一电镀层，所述第一电镀层完全覆盖产品待电镀区域，在第一电镀层上电镀第二电镀层，所述第二电镀
3、进一步的，所述第一电镀层与第二电镀层的总厚度为产品待电镀厚度。
4、进一步的，第二电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a2。
5、进一步的，所述第一电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a3。
6、进一步的，所述第一电镀层和第二电镀层均通过曝光、显影后电镀的方式形成。
7、一种厚金属分层电镀方法，包括以下步骤：
8、初次电镀步骤：在产品待电镀区域初次电镀出完全覆盖的第一电镀层；
9、再次电镀步骤：在第一电镀层上再次电镀出覆盖除第一电镀层边缘部分外其他区域的第二电镀层，使得第二电镀层相对于第一电镀层边缘错位内缩，削弱尖端效应。
10、进一步的，所述初次电镀步骤中，第一电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a3。
11、进一步的，所述再次电镀步骤中，第二电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a2。
12、进一步的，所述再次电镀步骤中，第一层电镀层与第二电镀层的总厚度为产品待电镀厚度。
13、进一步的，所述再次电镀步骤中，第一电镀层和第二电镀层均通过曝光、显影后电镀的方式形成。
14、本专利技术申请：第二电镀层相对于第一电镀层边缘错位内缩，产生上下错位堆叠的两个边缘，而且每次电镀厚度薄，电镀时间短，a3+a2远小于a1值，大幅削弱尖端效应，芯片产品的电镀层与上层金属层的电性安全间距的影响因素由原本的a1值转变为a3值，电镀厚度和凸出变形可控，电性安全间距足够，风险降低。
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1.一种厚金属分层电镀结构，包括第一电镀层，所述第一电镀层完全覆盖产品待电镀区域，其特征在于，在第一电镀层上电镀第二电镀层，所述第二电镀层覆盖除第一电镀层边缘部分外的其他区域，使得第二电镀层相对于第一电镀层边缘错位内缩，削弱尖端效应。
2.根据权利要求1所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀层与第二电镀层的总厚度为产品待电镀厚度。
3.根据权利要求2所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第二电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为A2。
4.根据权利要求3所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为A3。
5.根据权利要求1所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀层和第二电镀层均通过曝光、显影后电镀的方式形成。
6.一种厚金属分层电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的厚金属分层电镀方法，其特征在于，所述初次电镀步骤中，第一电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为A3。
8.根据权利要求6所述的厚金属分
9.根据权利要求7所述的厚金属分层电镀方法，其特征在于，所述再次电镀步骤中，第一层电镀层与第二电镀层的总厚度为产品待电镀厚度。
10.根据权利要求8所述的厚金属分层电镀方法，其特征在于，所述再次电镀步骤中，第一电镀层和第二电镀层均通过曝光、显影后电镀的方式形成。
...【技术特征摘要】
1.一种厚金属分层电镀结构，包括第一电镀层，所述第一电镀层完全覆盖产品待电镀区域，其特征在于，在第一电镀层上电镀第二电镀层，所述第二电镀层覆盖除第一电镀层边缘部分外的其他区域，使得第二电镀层相对于第一电镀层边缘错位内缩，削弱尖端效应。
2.根据权利要求1所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀层与第二电镀层的总厚度为产品待电镀厚度。
3.根据权利要求2所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第二电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a2。
4.根据权利要求3所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀层的边缘区域由于尖端效应凸出的高度值为a3。
5.根据权利要求1所述的厚金属分层电镀结构，其特征在于，所述第一电镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：张光耀，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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