一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质技术

本发明专利技术属于半导体领域，具体涉及一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质。其中方法包括：在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体；响应于所述金属层沉积完成，通过激光剥离所述氮化镓复合体上的衬底，并通过预定方式洗去所述氮化镓复合体上的金属层得到氮化镓材料。通过本发明专利技术提供的一种氮化镓材料的激光剥离方法，在Fe掺杂的氮化镓材料上添加一层金属层之后再对氮化镓材料上的衬底进行激光剥离，借助金属层的高延展性，可在激光剥离过程中，有效吸收GaN热分解生成N2产生的压力及Fe掺杂GaN材料内部应力弛豫产生的较大的应力。大幅提高氮化镓材料成形的良品率以及氮化镓材料的品质。良品率以及氮化镓材料的品质。良品率以及氮化镓材料的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质


[0001]本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质。

技术介绍

[0002]GaN材料具备禁带宽度大、电子饱和速率高、临界击穿电场高和抗辐射能力强等优异特征，因此，基于GaN材料的高电子迁移率晶体管，尤其是AlGaN/GaN HEMT，被广泛应用于新一代高功率、高频率的固态微波功率器件制造，这对卫星通讯、5G等领域发展具有重要意义。理论上，GaN HEMT器件具备优异的功率输出能力，但目前报道的常规GaN基微波功率器件的输出功率密度仅能达到3~5 W/mm。研究表明，GaN基微波功率器件的实际输出能力主要受限于自热效应，衬底材料的导热性能，对器件散热十分关键，因此，将GaN基微波功率器件制备在或转移至高导热衬底上，以最大限度减弱自热效应，避免有源区热量累积，是现阶段GaN基微波功率器件发展的重要研究方向。
[0003]蓝宝石衬底成本低，在蓝宝石上生长GaN结构材料技术较为成熟，采用激光剥离技术从蓝宝石上获得GaN材料及器件，是将GaN器件转移至高热导率衬底上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓材料的激光剥离方法，其特征在于，包括：在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体；响应于所述金属层沉积完成，通过激光剥离所述氮化镓复合体上的衬底，并通过预定方式洗去所述氮化镓复合体上的金属层得到氮化镓材料。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：通过预定方式将所述氮化镓材料迁移到目标衬底形成目标器件。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体包括：在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面制备目标氮化镓器件的电极，并在形成电极的氮化镓器件的表面进一步沉积防护层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体还包括：响应于所述防护层沉积完成，在所述防护层上沉积金属层形成氮化镓复合体。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：响应于通过预定方式洗去所述氮化镓复合体上的金属层，根据防护层的使用材料选择对应的溶解剂溶解所述防护层得到氮化镓材料。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体包括：通过磁控溅射设备在所述氮化镓异质结构材料的表面沉积生长出预定材质预定厚度一层或多层金属层。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体包括：在临时载片的表面旋涂粘合材料，将旋涂时的旋涂转速控制在预定范围并维持第一预定时间。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：响应于粘合材料旋涂完成，对旋涂有粘合材料的临时载片进行分阶段烘烤。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对旋涂有粘合材料的临时载片进行分阶段烘烤包括：在第一阶段以第一预定温度进行烘烤并维持第二预定时间。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对旋涂有粘合材料的临时载片进行分阶段烘烤还包括：响应于第一阶段烘烤完成，以第二预定温度进行烘烤并维持第三预定时间。11.根据权利要求8所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭芬，索曌君，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：