多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构制造技术

本发明专利技术涉及多晶硅的生产设备，具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝，所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上、下贯通的溢流孔。本发明专利技术在传统设备的结构基础上，在石墨底板，塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到，使工作人员能第一时间采取措施，避免更大的损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅的生产设备,具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅 检测结构。
技术介绍
多晶铸锭设备的中用来加热熔融硅原料的设备通常如附图1所示，包括有坩埚1、位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端 连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞条组合下 方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检 测丝7。其工作过程中，如果发生漏硅，坩埚l中的硅液经过护板2和 石墨底板3的间隙流出，沿塞条组合4和底板组合5的边缘往下淌，后 经过隔热板6的溢流孔，最后掉落到漏硅检测丝7上，检测丝探测到漏 硅后，由PLC发出报警信号，报警器报警提示操作工处理。从上面可以 看出，如果发生漏硅，硅液首先会在坩埚护板2和蚶埚1的间隙间积聚， 即使有少量硅液从石墨底板3和护板2间的间隙溢出，也会被塞条组合 4和底板组合5吸收，不能被检测系统第一时间检测到，因而会延误处 理，造成设备较大的损失。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够及时检测到设备漏 硅、减少设备损失的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。本专利技术的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构，其特征是：它包括有坩埚（１）、位于坩埚外侧的护板（２）、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板（３）、位于石墨底板下方的塞条组合（４）、位于塞条组合下方的底板组合（５）、位于底板组合下方的隔热板（６）及位于隔热板下方的检测丝（７），其特征是：所述石墨底板（３）、塞条组合（４）及底板组合（５）的边缘设置有上、下贯通的溢流孔（８）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施海明，陆景刚，张锦根，鄂林，
申请(专利权)人：镇江环太硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]