曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

曝光装置包括台(140)、测量装置(144)和控制装置(10)。控制装置(10)在基板的曝光处理中，基于至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数以及与第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数。控制装置(10)在应用了第1设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第1修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第1修正系数的第3修正系数。控制装置(10)在应用了第2设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第2修正系数的第4修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第2修正系数。使用第2修正系数。使用第2修正系数。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法
[0001]本申请基于2021年12月16日提出申请的先行的日本专利申请第2021－204292号主张优先权，这里通过引用包含其全部内容。


[0002]本专利技术涉及曝光装置、接合装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0003]已知将半导体电路基板三维地层叠的三维层叠技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是改善半导体装置的成品率。
[0005]技术方案的曝光装置经由投影光学系统通过照明光将基板曝光。曝光装置包括台、测量装置和控制装置。台保持基板。测量装置测量基板的至少3处对准标记。控制装置基于测量装置的测量结果使台移动，控制对于基板的曝光位置。控制装置在基板的曝光处理中，基于至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数。控制装置在应用了第1设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第1修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第1修正系数的第3修正系数。控制装置在应用了第2设定的情况下，在第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于第2修正系数的第4修正系数，并且在第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用第2修正系数。
[0006]根据上述的结构，能够改善半导体装置的成品率。
附图说明
[0007]图1是表示半导体装置的制造方法的概要的概略图。
[0008]图2是表示在半导体装置的制造工序中可能产生的重合偏差成分的一例的示意图。
[0009]图3是表示在半导体装置的制造工序中使用的对准标记的配置的一例的示意图。
[0010]图4是表示在半导体装置的制造工序中使用的曝光装置及接合装置的晶圆面内的重合偏差成分的修正性能的一例的表。
[0011]图5是表示有关第1实施方式的曝光装置的结构的一例的框图。
[0012]图6是表示有关第1实施方式的曝光装置的曝光处理的一例的流程图。
[0013]图7是表示在有关第1实施方式的曝光装置中使用的曝光配方的一例的表。
[0014]图8是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0015]图9是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对
准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0016]图10是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了X重视模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0017]图11是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了Y重视模式的对准修正的情况下的晶圆倍率的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0018]图12是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆正交度的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0019]图13是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了通常模式的对准修正的情况下的晶圆正交度的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0020]图14是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了X重视模式的对准修正的情况下的晶圆正交度的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0021]图15是表示在有关第1实施方式的半导体装置的制造工序中使用了Y重视模式的对准修正的情况下的晶圆正交度的重合偏差的变化的一例的示意图。
[0022]图16是表示有关第2实施方式的半导体制造系统的结构的一例的框图。
[0023]图17是表示有关第2实施方式的接合装置的结构的一例的框图。
[0024]图18是表示有关第2实施方式的服务器的结构的一例的框图。
[0025]图19是表示有关第2实施方式的接合装置的接合处理的概要的概略图。
[0026]图20是表示有关第2实施方式的接合装置的接合处理中的与晶圆倍率的修正相关的工序的一例的流程图。
[0027]图21是表示有关第2实施方式的变形例的接合装置的接合处理中的与晶圆倍率的修正相关的工序的一例的流程图。
[0028]图22是表示在有关第3实施方式的接合装置使用的重合偏差的修正式的制作方法的一例的流程图。
[0029]图23是表示有关第3实施方式的接合装置的接合处理的一例的流程图。
[0030]图24是表示在有关第3实施方式的接合装置使用的重合偏差的修正式的制作中使用的多个晶圆的一例的示意图。
[0031]图25是表示有关第3实施方式的接合装置的接合处理中的重合偏差的修正式的制作前后的移位测量错算量的变化的一例的曲线图。
[0032]图26是表示有关第4实施方式的存储设备的结构的一例的框图。
[0033]图27是表示有关第4实施方式的存储设备具有的存储单元阵列的电路结构的一例的电路图。
[0034]图28是表示有关第4实施方式的存储设备的构造的一例的斜视图。
[0035]图29是表示有关第4实施方式的存储设备具有的存储单元阵列的平面布局的一例的俯视图。
[0036]图30是表示有关第4实施方式的存储设备具有的存储单元阵列的剖面构造的一例的剖面图。
[0037]图31是表示有关第4实施方式的存储设备具有的存储柱的剖面构造的一例的，沿着图30的XXXI－XXXI线的剖面图。
[0038]图32是表示有关第4实施方式的存储设备的剖面构造的一例的剖面图。
具体实施方式
[0039]以下，参照附图对实施方式进行说明。各实施方式例示了用来将专利技术的技术思想具体化的装置及方法。附图是示意性或概念性的。各图的尺寸及比例等并不一定与现实相同。结构的图示进行适当省略。在图中附加的阴影并不一定与构成要素的材料或特性相关联。在本说明书中，对于具有大致相同的功能及结构的构成要素附加相同的标号。对于参照标号附加的数字等通过相同的参照标号参照，并且为了将类似的要素彼此区别而使用。
[0040]本说明书的半导体装置通过将分别形成有半导体电路的两片半导体电路基板接合，将接合后的半导体电路基板按照每个芯片进行分离而形成。
[0041]以下，将半导体电路基板称作“晶圆”。将接合两片晶圆的处理称作“接合处理”。将执行接合处理的装置称作“接合装置”。将在接合处理时配置在上侧的晶圆称作“上晶圆UW”。将在接合处理时配置在下侧的晶圆称作“下晶圆LW”。将接合后的两片晶圆即上晶圆UW及下晶圆LW的组称作“接合晶圆BW”。在本说明书中，X方向及Y方向是相互相交的方向，是与晶圆的表面平行的方向。Z方向是相对于X方向及Y方向分别相交的方向，是相对于晶圆的表面的铅锤方向。“晶圆的表面”是通过后述的前工序形成半导体电路的一侧的面。“晶圆的背面”是相对于晶圆的表面的相反侧的面。本说明书中的“上下”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，经由投影光学系统通过照明光将基板曝光，其具有：台，保持上述基板；测量装置，测量上述基板的至少3处对准标记；以及控制装置，基于上述测量装置的测量结果使上述台移动，控制对于上述基板的曝光位置；上述控制装置在上述基板的曝光处理中，基于上述至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数；在应用了第1设定的情况下，在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数，并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数；在应用了第2设定的情况下，在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数，并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数。2.如权利要求1所述的曝光装置，其中，上述第1设定包括上述第1修正系数与上述第3修正系数的比例的设定；上述第2设定包括上述第2修正系数与上述第4修正系数的比例的设定。3.如权利要求1或2所述的曝光装置，其中，上述控制装置在上述曝光处理中，基于上述至少3处对准标记的测量结果，分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数；在应用了上述第1设定的情况下，在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数，并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数；在应用了上述第2设定的情况下，在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数，并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。4.如权利要求3所述的曝光装置，其中，上述第1设定包括上述第5修正系数与上述第7修正系数的比例的设定；上述第2设定包括上述第6修正系数与上述第8修正系数的比例的设定。5.一种半导体装置的制造方法，其具有以下步骤：测量基板上的至少3处对准标记；基于上述至少3处对准标记的测量结果，分别计算与第1方向的倍率成分的位置偏差对应的第1修正系数、以及与相对于上述第1方向相交的第2方向的倍率成分的位置偏差对应的第2修正系数；在对于上述基板的曝光处理中应用了第1设定的情况下，在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第1修正系数，并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修
正中使用基于上述第1修正系数的第3修正系数，将上述基板曝光；在上述曝光处理中应用了第2设定的情况下，在上述第1方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用基于上述第2修正系数的第4修正系数，并且在上述第2方向的倍率成分的位置偏差的修正中使用上述第2修正系数，将上述基板曝光。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，还具有以下步骤：基于上述至少3处对准标记的测量结果，分别计算与上述第1方向的正交度成分的位置偏差对应的第5修正系数、以及与上述第2方向的正交度成分的位置偏差对应的第6修正系数；在对上述曝光处理应用了上述第1设定的情况下，在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第5修正系数，并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第5修正系数的第7修正系数；在对上述曝光处理应用了上述第2设定的情况下，在上述第1方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用基于上述第6修正系数的第8修正系数，并且在上述第2方向的正交度成分的位置偏差的修正中使用上述第6修正系数。7.一种半导体装置的制造方法，其具有以下步骤：基于关于第1基板的第1信息和关于第2基板的第2信息，计算将上述第1基板与上述第2基板贴合时的倍率成分的位置偏差的修正值；基于上述修正值使第1台变形，使变形后的上述第1台保持上述第1基板；使与上述第1台对置的第2台保持上述第2基板；使用上述第1台和上述第2台将上述第1基板和上述第2基板互相面对地配置，使上述第1基板与上述第2基板贴合。8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，上述第1信息是在上述第1基板的曝光处理中基于测量上述第1基板的至少3处对准标记所得的结果计算出的倍率成分的修正值；上述第2信息是在上述第2基板的曝光处理中基于测量上述第2基板的至少3处对准标记所得的结果计算出的倍率成分的修正值。9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，上述第1信息是表示上述第1基板的翘曲量的信息；上...

【专利技术属性】
技术研发人员：水田吉郎，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：