半导体存储器器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器器件，它包括一个源极、一个漏极、两个浮栅区、一个控制栅极、以及一个衬底极，所述半导体器件的浮栅区用于存储电荷。本发明专利技术还公开了上述半导体存储器器件的制造方法。本发明专利技术制造的半导体存储器器件具有单元面积小，且制造工艺简单等优点，采用本发明专利技术后存储器芯片的制造成本下降，而且存储密度得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别是涉及一种半导体存储器器件；本专利技术还涉及 一种半导体存储器阵列，以及应用这种器件的芯片的制造方法。
技术介绍
半导体存储器被广泛应用于各种电子产品之中。随着技术的发展，存储器的尺寸 越来越小，密度也越来越高。在非挥发性存储器中，存储器采用了每单元多比特存储 的技术。比如，单个多晶硅浮栅存储器可以用多层阈值电压来实现多位存储。而氮化 物只读存储器(NitridedROM)则采用了电荷陷阱技术而在氮化硅介质中的两个区域 中存储两个位。氮化物存储器的擦除需要热空穴注入，会影响栅介质的可靠性。随着 微电子器件尺寸的不断縮小，氮化物只读存储器的实现也变得越来越困难。双浮栅结构也可以在一个存储器中存储两个位。如图1所示，将单一浮栅分割为 两个浮栅101与102，可以实现在同一存储器中存储两位数据。这种结构需要在同个 控制栅极下制出两个分离开的浮栅结构(参考论文A Dual Gate Flash EEPROM Cell with Two-Bit Storage Capacity, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器器件，包括：　一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；　在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区；其特征在于：还包括，　在所述半导体衬底内形成的介于所述源区和漏区之间的一个沟道区域；　在所述 沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；　在该第一层绝缘薄膜之上形成的两个作为电荷存储节点的具有由第一种导电材料形成的浮栅区；　所述的两个浮栅区被第二层绝缘薄膜所分开；　在所述由第一种导电材料形成的浮栅区之上形 成的第三层绝缘薄膜；　在所述第二层绝缘薄膜与第三层绝缘薄膜之上形成的由第二种导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，龚轶，张卫，
申请(专利权)人：苏州东微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]