基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够避免在将基板从基板保持件卸下时，由于所形成的膜而将基板与基板保持件固定连接，导致无法将基板从基板保持件剥离的问题。基板处理装置具有：基板保持件，其设置有载置基板的基板载置部；基板移载机构，其相对于基板载置部装填或卸下基板；处理容器，其容纳保持有基板的基板保持件；成膜气体供给系统，其对处理容器内的基板供给成膜气体；以及控制部，其能够控制基板移载机构和成膜气体供给系统，使得在从开始对基板供给成膜气体的成膜处理起至在基板上形成所需的厚度的膜为止的期间，至少一次将成膜处理的实施中断，并进行基板载置部上载置的基板的剥离处理。理。理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质


[0001]本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。

技术介绍

[0002]作为半导体装置的制造工序之一，有如下工序：在基板保持件所保持的基板上形成所需的厚度的膜，之后进行将基板从基板保持件卸下的处理(例如参照专利文献1、2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005－252105号公报
[0006]专利文献2：WO2005/055314公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本公开的目的在于提供如下技术：在将基板从基板保持件卸下时，利用所形成的膜避免基板与基板保持件固定连接而无法将基板从基板保持件剥离的情况。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方式，提供如下技术，具有：
[0011]基板保持件，其设置有载置基板的基板载置部；
[0012]基板移载机构，其相对于所述基板载置部装填或卸下所述基板；
[0013]处理容器，其容纳保持有所述基板的所述基板保持件；
[0014]成膜气体供给系统，其对所述处理容器内的所述基板供给成膜气体；以及
[0015]控制部，其能够控制所述基板移载机构和所述成膜气体供给系统，使得在从开始对所述基板供给所述成膜气体的成膜处理起至在所述基板上形成所需的厚度的膜为止的期间，至少一次将所述成膜处理的实施中断，并进行所述基板载置部上载置的所述基板的剥离处理。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本公开，能够提供如下技术：避免在将基板从基板保持件卸下时，由于所形成的膜将基板与基板保持件固定连接而无法将基板从基板保持件剥离的情况。
附图说明
[0018]图1是本公开的一方式中适用的基板处理装置1的透视立体图。
[0019]图2是本公开的一方式中适用的基板处理装置1的立式处理炉的概要结构图，是以纵剖视图示出处理炉202部分的图。
[0020]图3是本公开的一方式中适用的基板处理装置1的立式处理炉的概要结构图，是以图2的A
‑
A线剖视图示出处理炉202部分的图。
[0021]图4是本公开的一方式中适用的基板处理装置1所具备的控制器124的概要结构
图，是以框图示出控制器124的控制系统的图。
[0022]图5是本公开的一方式中适用的基板处理装置1所具备的晶舟217的纵剖面局部放大图。
[0023]图6是表示本公开的一方式的基板处理工序的步骤的一例的流程图。
[0024]图7的(a)是在基板载置部222上载置了晶圆200之后的晶舟217的纵剖面局部放大图。图7的(b)是在基板载置部222上的晶圆200形成临界厚度的膜300之前的晶舟217的纵剖面局部放大图。图7的(c)是表示利用镊子111将基板载置部222上的晶圆200提起的状态的图。图7的(d)是表示利用镊子111将提起的晶圆200载置于基板载置部222上的原位置的状态的图。
[0025]图8是本公开的另一方式中适用的基板处理装置的处理容器的主要部分的纵剖视图。
[0026]其中：
[0027]112—基板移载机构；124—控制器；200—晶圆(基板)；217—晶舟；222—基板载置部。
具体实施方式
[0028]＜本公开的一方式＞
[0029]以下对本公开的一方式进行说明。此外，在以下的说明中使用的各图均为示意图，图中所示各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必符合实际情况。并且，各图面相互间的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0030](1)基板处理装置的全体结构例
[0031]如图1所示，基板处理装置1构成为批量式立式热处理装置。基板处理装置1具备耐压容器即框体101，其内部设置有例如处理炉202，其外部设置有控制部即控制器124。在将作为基板的晶圆200向框体101的内外输送时，利用作为基板输送容器的晶圆盒100。晶圆盒100构成为能够收纳多张(例如25张)的晶圆200。在框体101上设置有晶圆盒输送口(未图示)，用于将晶圆盒100向框体101内外输送。
[0032]在框体101设置有作为晶圆盒传递台的晶圆盒载台105(以下称为载台105)。晶圆盒100可通过外部输送装置(未图示)被搬入至载台105上，或者被从载台105上搬出。
[0033]在载台105的附近设置有收纳晶圆盒100的晶圆盒搁架109。晶圆盒搁架109构成为能够以多层多列的方式来保管至少一个以上的晶圆盒100。作为晶圆盒搁架109的一部分，设置有移载搁架123，该移载搁架123收纳成为后述的基板移载机构112的输送对象的晶圆盒100。
[0034]在载台105的上方设置有保管预备的晶圆盒100的预备晶圆盒搁架110。在载台105与晶圆盒搁架109之间设置有：能够以保持有晶圆盒100的状态进行升降的晶圆盒升降机115(以下称为“升降机115”)；以及输送晶圆盒100的晶圆盒输送机构114(以下称为输送机构114)。构成为，能够利用升降机115与输送机构114的联动动作，将晶圆盒100在载台105、晶圆盒搁架109、预备晶圆盒搁架110之间输送。
[0035]在框体101的内部上方设置有处理炉202。处理炉202的下端部构成为能够通过炉口闸门116进行开闭。在处理炉202的下方设置有晶舟升降机121(以下称为升降机121)，该
升降机121使作为基板保持件的晶舟217相对于处理炉202进行升降。在与升降机121的升降台连结的作为连结件的升降部件122水平地安置固定有作为盖体的密封盖219。密封盖219构成为能够将晶舟217垂直地支撑，并且能够将处理炉202的下端部封闭。另外，在处理炉202的下方设置有待机室141，该待机室141用于进行晶圆200的装填、卸下、后述的晶圆200的剥离处理等。
[0036]晶舟217具备多个晶舟柱部221。在晶舟柱部221设置有多个载置晶圆200的基板载置部222(参照图5)，晶舟217构成为能够将多张(例如200～250张)的晶圆200支撑为多层。
[0037]如图1所示，在升降机121与晶圆盒搁架109之间设置有基板移载机构112。基板移载机构112具备将晶圆200以水平姿态保持的预定数的(例如5个)镊子111，且安装于使基板移载机构112升降的基板移载机构升降机113(以下称为升降机113)。构成为，能够利用升降机113、基板移载机构112和镊子111的联动动作，相对于晶舟217的基板载置部222装填晶圆200，或者能够将晶圆200从基板载置部222上卸下。另外，在基板移载机构112具备传感器119，该传感器119检测后述的剥离处理是否成功(参照图7的(c)、图7的(d))。
[0038]在晶圆盒搁架109的上方设置有供给进行了净化的环境气体即清洁空气的清洁单元118本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：基板保持件，其设置有载置基板的基板载置部；基板移载机构，其相对于所述基板载置部装填或卸下所述基板；处理容器，其容纳保持有所述基板的所述基板保持件；成膜气体供给系统，其对所述处理容器内的所述基板供给成膜气体；以及控制部，其能够控制所述基板移载机构和所述成膜气体供给系统，使得在从开始对所述基板供给所述成膜气体的成膜处理起至在所述基板上形成所需的厚度的膜为止的期间，至少一次将所述成膜处理的实施中断，并进行所述基板载置部上载置的所述基板的剥离处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部能够控制所述基板移载机构和所述成膜气体供给系统，使得在从开始所述成膜处理起至在所述基板上形成所需的厚度的膜为止的期间，将依次进行供给所述成膜气体的处理、在所述基板上形成临界厚度的膜之前将所述成膜气体的供给中断的处理、所述剥离处理的循环执行预定次数。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述临界厚度是指：若成为该临界厚度以上的厚度则无法实现利用所述基板移载机构进行所述剥离处理时的膜的厚度。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述剥离处理是指：能够利用所述基板移载机构，将载置于所述基板载置部上的基板提起后，下降至所述基板载置部上的原位置的处理。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述剥离处理是指：能够利用所述基板移载机构，使载置于所述基板载置部上的基板在所述基板载置部上偏移移动之后，再次偏移并回到所述基板载置部上的原位置的处理。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述剥离处理是指：能够利用所述基板移载机构，将载置于所述基板载置部上的基板卸下之后，装填于所述基板载置部上的原位置的处理。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述剥离处理是能够对多张基板同时进行的处理。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述剥离处理是能够在所述处理容器内进行的处理。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板移载机构具备检出所述剥离处理是否成功的传感器，所述控制部能够在所述传感器检出所述剥离处...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田仁，高畑觉，布村一朗，铺田严，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：