一种双沟槽型MOS场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管。上述场效应晶体管包括：依次层叠设置的半导体衬底层、半导体外延层；堆叠于半导体外延层上的阱区；设置于阱区上的掺杂区，掺杂区包括N型重掺杂区和P型重掺杂区；沟槽，包括栅极沟槽和虚拟沟槽，栅极沟槽位于中心位置，其两侧分别设置一个虚拟沟槽，虚拟沟槽的侧壁和底部设置有P型重掺杂层，内部填充有氧化物；金属层，位于掺杂区远离半导体外延层的一侧。上述场效应晶体管，由于栅极沟槽和沟道结构未发生明显改变，因此沟道电阻不会增加；同时虚拟沟槽的引入及其结构的设置，可以屏蔽栅极沟槽附近的强电场，对栅极沟槽形成良好的保护作用，提高了栅氧的可靠性。提高了栅氧的可靠性。提高了栅氧的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种双沟槽型MOS场效应晶体管


[0001]本技术属于半导体
，具体涉及一种双沟槽型MOS场效应晶体管。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是下一代高效电力电子器件技术的核心器件。基于碳化硅的MOSFET击穿临界电场约是基于硅材料的MOSFET的10倍，且碳化硅MOSFET与高压硅IGBT器件相比，具有更高的带宽，更低的损耗以及更高的工作温度，因此，碳化硅MOSFET受到了广泛关注。常规沟槽型碳化硅MOSFET中栅极沟槽(gate trench)的栅氧厚度相同，特别是两个侧壁，因为在同一晶向，使得栅氧厚度的一致性更好。为了获得较高的导通电流能力，通常栅氧厚度相对较薄，但沟槽拐角位置易出现高电场，栅氧在经受高电场的情况下可靠性会降低，甚至直接击穿。如果单纯增加栅氧厚度，会大幅提高沟道的导通电阻，严重影响器件性能。
[0003]因此，有必要提供一种电流导通能力高，且栅极沟槽可靠性高的MOS场效应晶体管。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置的半导体衬底层、半导体外延层；阱区，所述阱区堆叠于所述半导体外延层上；掺杂区，所述掺杂区设置于所述阱区上；所述掺杂区包括N型重掺杂区和P型重掺杂区，所述P型重掺杂区设置于所述N型重掺杂区的两侧；沟槽，所述沟槽包括一个栅极沟槽和两个虚拟沟槽，所述栅极沟槽位于中心位置，由所述N型重掺杂区顶部延伸到所述半导体外延层；所述栅极沟槽的两侧分别设置一个所述虚拟沟槽，所述虚拟沟槽由所述掺杂区顶部延伸到所述半导体外延层，所述虚拟沟槽的侧壁和底部设置有P型重掺杂层，所述虚拟沟槽的内部填充有氧化物；金属层，所述金属层位于所述掺杂区远离所述半导体外延层的一侧。2.根据权利要求1所述的双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，所述虚拟沟槽侧壁的P型重掺杂层的宽度不超过0.5μm，所述虚拟沟槽的内部填充有二氧化硅。3.根据权利要求1所述的双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，所述虚拟沟槽的上部位于所述N型重掺杂区和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱忠，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：