半导体装置制造方法及图纸

本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底；设置在P型衬底上的N型埋层，以及设置在N型埋层上的LDMOS器件，其中LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区，二者设置在P型阱中；N型漏接触区，设置在高压N型阱中，高压N型阱邻接P型阱；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到高压N型阱的上表面；以及多个第一LOCOS结构，设置在高压N型阱的上表面上，多个第一LOCOS结构具有条形形状并且沿其宽度方向彼此平行地依次排列在栅介质和N型漏接触区之间。根据本公开的半导体装置具有高击穿电压、低比导通电阻和高开关速度的优点。低比导通电阻和高开关速度的优点。低比导通电阻和高开关速度的优点。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及一种包括新型的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的半导体装置。

技术介绍

[0002]近年来，LDMOS器件由于其具有易于与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容、驱动功率小、负温度系数等优点而被广泛应用于功率集成电路中。
[0003]然而，作为用于衡量LDMOS器件的性能的重要指标，在击穿电压和比导通电阻之间存在权衡。具体地，较高的击穿电压需要LDMOS器件具有较长的漂移区长度和较低的漂移区掺杂浓度，这反而使得LDMOS器件具有较高的比导通电阻。
[0004]因此，仍需要对现有的LDMOS器件进行改进，以在保证LDMOS器件具有高击穿电压的同时，降低LDMOS器件的比导通电阻。

技术实现思路

[0005]在“
技术介绍
”部分中公开的以上信息仅用于理解专利技术构思的背景，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。
[0006]为了解决现有技术中存在的以上问题，本公开提出了一种包括新型的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：P型衬底；N型埋层，设置在所述P型衬底上；以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，设置在所述N型埋层上，其中，所述LDMOS器件包括：N型源接触区和与所述N型源接触区邻接的P型体接触区，二者设置在P型阱中；N型漏接触区，设置在高压N型阱中，所述高压N型阱邻接所述P型阱；栅介质，从所述N型源接触区的上表面延伸到所述高压N型阱的上表面；以及多个第一局部氧化隔离(LOCOS)结构，设置在所述高压N型阱的上表面上，所述多个第一LOCOS结构具有条形形状并且沿其宽度方向彼此平行地依次排列在所述栅介质和所述N型漏接触区之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一LOCOS结构的鸟嘴彼此相接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述LDMOS器件还包括两个第二LOCOS结构，具有条形形状，分别设置在所述多个第一LOCOS结构的两端并且分别与所述多个第一LOCOS结构的两端连接。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述LDMOS器件还包括：源电极，设置在所述N型源接触区和所述P型体接触区上；漏电极，设置在所述N型漏接触区上；半导体层，从所述栅介质的上表面延伸到所述LOCOS结构的上表面，所述半导体层在靠近所述源电极的一侧包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊，彭路露，李仁雄，丁琦，何坤芹，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：