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本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底；设置在P型衬底上的N型埋层，以及设置在N型埋层上的LDMOS器件，其中LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区，二者设置在P型阱中；N型漏接触区，设置在高压N型阱中，高压...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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