半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆技术

本申请公开了一种半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆，采用独特的可控屏蔽区设计，并配合位于可控屏蔽区与接地屏蔽区之间的第一区，使可控屏蔽区可以在浮空和接地两种状态之间切换，从而调整JFET区的宽度，进而影响JFET区的电阻大小，以控制器件正向性能和短路性能。短路性能。短路性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及到一种半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆。

技术介绍

[0002]碳化硅(silicon carbide，SiC)材料相对硅(silicon，Si)材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率及高电子饱和漂移速度等优势，利用SiC材料制作的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor，MOSFET)相比Si材料制作的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)具有高击穿电压、低导通压降等特性。且单极导电特性使得SiC MOSFET相比Si IGBT具有更快的开关速度、更低的导通损耗和更低的开关损耗，因此，SiC MOSFET已经在部分应用场景诸如车载微控制单元(micro controller unit，MCU)、车载电池充电器(on<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，所述外延层设置在所述半导体衬底上；沟槽，所述沟槽设置于所述外延层内；栅极，所述栅极设置在所述沟槽内，所述栅极由栅绝缘膜包裹；屏蔽区，所述屏蔽区设置于所述外延层内，所述屏蔽区位于所述沟槽的底部，所述屏蔽区包括可控屏蔽区和接地屏蔽区；第一区和第二区，所述第一区和所述第二区设置于所述外延层内，所述第二区位于所述可控屏蔽区和所述接地屏蔽区之间，所述第一区位于所述第二区与所述沟槽的底部之间；源极，所述源极设置于所述外延层远离所述半导体衬底的一侧；漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述外延层的一侧。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽区包裹所述沟槽底部的拐角处。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述可控屏蔽区为两个，所述接地屏蔽区为一个，所述第一区和所述第二区均为两个。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，一个所述第一区和一个所述第二区堆叠设置，且位于一个所述可控屏蔽区与所述接地屏蔽区之间；另一个所述第一区和另一个所述第二区堆叠设置，且位于另一个所述可控屏蔽区与所述接地屏蔽区之间。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，两个所述可控屏蔽区分别位于所述沟槽底部的两个相对设置的拐角处，所述接地屏蔽区位于所述沟槽底部的正下方。6.如权利要求1
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5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括在所述半导体衬底远离所述漏极的一侧依次堆叠设置的漂移区、电流扩展区和阱区，以及在所述阱区远离所述电流扩展区的一侧设置的第一源区和第二源区；所述第一源区位于所述第二源区与所述沟槽的侧壁之间；所述沟槽延伸至所述漂移区，所述屏蔽区设置在所述漂移区内且与所述电流扩展区接触；所述源极同时与所述第一源区和所述第二源区接触。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二区、所述第一源区、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦春坤，高博，胡飞，唐龙谷，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：