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本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管。上述场效应晶体管包括：依次层叠设置的半导体衬底层、半导体外延层；堆叠于半导体外延层上的阱区；设置于阱区上的掺杂区，掺杂区包括N型重掺杂区和P型重掺杂区；沟槽，包括栅极沟槽和...
该专利属于深圳市至信微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市至信微电子有限公司授权不得商用。

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