一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于高纯冶金级多晶硅太阳电池的减反射膜，该减反射膜是由两层膜构成，第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面，第一层膜的厚度为３５～５０ｎｍ，折射率为２．２５～２．３５；第二层膜设在第一层膜的表面，第二层膜的厚度为４０～５５ｎｍ，折射率为１．９５～２．０５；两层膜的成分均为氮化硅；两层膜的综合膜厚为８２～８９ｎｍ，综合折射率２．０３～２．１２。该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射，提高高纯冶金级（ＵＭＧ）多晶硅太阳电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计一种减反射膜及其制备方法，具体涉及一种应用于太阳电池表 面的减反射膜及其制备方法。
技术介绍
目前太阳电池制造包括如下步骤(l)硅片清洗制绒；(2)扩散制备PN结；(3) 刻蚀去除硅片四周的PN结；(4)清洗去除磷硅玻璃；(5)制备减反射膜；(6)丝网印 刷背电极银浆，背电场铝浆，正电极银浆；(7)背电极、背场及正面电极共烧合 金化(8)测试分选。在工业化生产中多采用太阳能级多晶硅和单晶硅，这大大增加了生产的成 本。而髙纯冶金级(UMG)多晶硅太阳电池的出现主要是为了降低成本，由于 采用了物理法提纯，其材料制作成本要大大低于采用西门子法提纯的太阳能级 多晶硅和单晶硅材料。但是由于UMG多晶硅材料的特殊性，其太阳电池的转化 效率要低于太阳能级多晶硅太阳电池。因此从制备减反射膜的工序着手，更进 一步降低电池表面的光反射率，即增加光的透过率，进而更加光的吸收，有助 于提高电池的光电转化效率。减反射膜又称增透膜，最简单的增透膜是单层膜，它是镀在光学零件光学 表面上的一层折射率较低的薄膜。如果膜层的光学厚度是某一波长的四分之一， 相邻两束光的光程差恰好为n，即振动方向相反，叠加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于高纯冶金级多晶硅太阳电池的减反射膜，该减反射膜是由两层膜构成，第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面，第二层膜设在第一层膜的表面，其特征在于：第一层膜的厚度为３５～５０ｎｍ，折射率为２．２５～２．３５；第二层膜的厚度为４０～５５ｎｍ，折射率为１．９５～２．０５；两层膜的成分均为氮化硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王栩生，赵钰雪，辛国军，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]