半导体模块制造技术

技术编号:37857335 阅读:9 留言:0更新日期:2023-06-15 20:47
本发明专利技术的目的为提供能够降低壳体部与基底部的安装公差的半导体模块。半导体模块(1)具备:基底部(13),其具有多个半导体元件(Su1~Sw2)及对多个半导体元件(Su1~Sw2)进行冷却的冷却器(131);壳体部(11),其安装于基底部(13),划定出配置多个半导体元件(Su1~Sw2)的空间(12);第一突起部(117),其具有通过自身的中心(117a)的第1方向(L1)的尺寸及与第1方向(L1)交叉且通过中心(117a)的第2方向(L2)的尺寸不同的形状,自壳体部(11)朝向基底部(13)所配置的那一侧突出;以及贯通孔(137),其比第一突起部(117)的外周大,并且具有沿第一突起部(117)的外周的形状的开口,通过贯通基底部(13)而形成,供第一突起部(117)插入。供第一突起部(117)插入。供第一突起部(117)插入。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块


[0001]本专利技术涉及一种应用于电力转换装置等的半导体模块。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种精密基板收纳容器,其通过将盖体嵌入收纳精密基板的容器主体的开口一端面而封闭成密封状态。在该精密基板收纳容器中,在盖体的表面隔开间隔地设置一对定位凹部,该一对定位凹部的至少一个定位凹部形成为在连结该一对定位凹部的线上具有长轴的长孔。
[0003]在专利文献2中公开了一种半导体模块,该半导体模块具有如下结构:在壳体形成有上下沿垂直方向排列的调整销,利用该上部的调整销来对子装配部件进行定位,利用下部的调整销来对其它子装配部件进行定位。
[0004]在对具有绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT)等的半导体模块进行组装的情况下,需要将多个装配部件(例如基底部、壳体部)相互安装。在半导体模块中,在两个以上的子装配部件相互安装的情况下,各个装配的公差相加。由此,存在如下问题:存在不能够进一步安装子装配部件,或者该子装配部件的安装变得困难的可能性。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2001-102438号公报
[0008]专利文献2:美国专利第9888601号说明书

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]针对装配公差相加的问题的一般对策是,通过以治具销为基准组合多个装配部件来实现组装公差的降低。然而,在该方法中,在各装配部件的公差中,除了与治具销的公差之外,还相加与除自身以外的其他装配部件之间的组装公差。因此,现有技术存在如下问题:即存在装配部件越增加,各装配部件的公差越大,各装配部件大型化的可能性。
[0011]另外,若为了避免各装配部件的大型化而减小各装配部件的公差,则存在即使能够相对于治具销对各装配部件进行定位,也有可能产生装配部件彼此的组装作业变得繁杂、无法将装配部件彼此组装这样的问题。在制造装配部件的制造商不同的情况下,容易产生该问题。
[0012]本专利技术的目的在于提供一种能够作为装配部件来降低壳体部与基底部的安装公差的半导体模块。
[0013]用于解决问题的方案
[0014]为了达成上述目的,本专利技术的一个技术方案的半导体模块具备:基底部,其具有多个半导体元件以及对所述多个半导体元件进行冷却的冷却器;壳体部,其安装于所述基底
部,划定出配置所述多个半导体元件的空间;第一突起部,其具有通过自身的中心的第1方向的尺寸和与所述第1方向交叉且通过所述中心的第2方向的尺寸不同的形状,自所述壳体部朝向所述基底部所配置的那一侧突出;以及贯通孔,其比所述第一突起部的外周大,并且具有沿所述第一突起部的所述外周的形状的开口,通过贯通所述基底部而形成,供所述第一突起部插入。
[0015]专利技术的效果
[0016]根据本专利技术的一个技术方案,能够作为装配部件来降低壳体部与基底部的安装公差。
附图说明
[0017]图1是表示本专利技术的一实施方式的半导体模块的示意性结构的一例的图,是从壳体部侧观察时的半导体模块的俯视图。
[0018]图2是表示本专利技术的一实施方式的半导体模块的示意性结构的一例的图,是从基底部侧观察时的半导体模块的仰视图。
[0019]图3是将本专利技术的一实施方式的半导体模块所具备的第一突起部附近放大表示的图。
[0020]图4是将本专利技术的一实施方式的半导体模块所具备的第二突起部放大表示的图,是以图2中所示的α-α线切断半导体模块的剖视图。
[0021]图5是说明本专利技术的一实施方式的半导体模块的效果的图,是表示以往的半导体模块的组装公差的一例的图。
[0022]附图标记说明
[0023]1、半导体模块;11、91、壳体部;12、空间;13、92、基底部;14u、U相用层叠基板;14v、V相用层叠基板;14w、W相用层叠基板;91c、中心位置;93、治具销;111、133、周缘部;111a、111b、113a、113b、133a、133b、短边部;111a-1、表面;111c、111d、113c、113d、133c、133d、长边部;112、基板安装孔;113、侧壁;113b-1、相对面;113e、117b、端部;114a、114b、分隔部;115、柱状部;117、第一突起部;117a、中心;119a、119b、第二突起部;119a-1、倾斜面;121u、U相用空间;121v、V相用空间;121w、W相用空间;131、冷却器;131a、收纳空间;132、基板安装孔;135a、135b、流入流出口;137、911、921、贯通孔;137a、内壁面;139、侧面;a1、a2、b1、b2、d、e、f、基准值;C1、C2、间隙;L1、第1方向;L2、第2方向;Nu、Nv、Nw、负极侧端子;Ou、Ov、Ow、输出端子;Pu、Pv、Pw、正极侧端子;Su1、Su2、Sv1、Sv2、Sw1、Sw2、半导体元件;T1、T1n、T2、T2n、Tc、Tcn、累积公差;Δa1、Δb1、Δd、Δf、容许差;ΔT、差。
具体实施方式
[0024]本专利技术的各实施方式对用于将本专利技术的技术思想具体化的装置、方法进行例示,本专利技术的技术思想并不将结构部件的材质、形状、构造、配置等特定为下述的内容。本专利技术的技术思想能够在权利要求书所记载的权利要求所规定的技术范围内施加各种变更。
[0025](半导体模块的整体结构)
[0026]使用图1至图5对本专利技术的一实施方式的半导体模块进行说明。首先,使用图1至图4对本实施方式的半导体模块的示意性结构进行说明。在本实施方式中,作为半导体模块,
以能够进行直流交流转换的电力转换模块为例进行说明。此外,在图1中,省略了半导体模块所具备的密封树脂的图示。
[0027]如图1和图2所示,本实施方式的半导体模块1具备壳体部11(参照图2),该基底部13具有多个(本实施方式中为6个)半导体元件Su1、Su2、Sv1、Sv2、Sw1、Sw2(参照图1)以及对多个半导体元件Su1、Su2、Sv1、Sv2、Sw1、Sw2进行冷却的冷却器131(参照图2)。以下,有时将“Su1、Su2、Sv1、Sv2、Sw1、Sw2”简称为“Su1~Sw2”。另外,如图1所示,半导体模块1具备壳体部11,该壳体部11安装于基底部13(在图1中未图示),划定出配置多个半导体元件Su1~Sw2的空间12。如图2所示,半导体模块1具备:第一突起部117以及第二突起部119a、119b,其形成于壳体部11;以及贯通孔137,其形成于基底部13且插入有第一突起部117,之后进行详细叙述。
[0028]半导体元件Su1、Su2是构成U相用的逆变器电路的开关元件。半导体元件Sv1、Sv2是构成V相用的逆变器电路的开关元件。半导体元件Sw1和Sw2是构成W相逆变器电路的开关元件。
[0029]如图1所示,壳体部11具有形成为矩形的框状的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块,其中,该半导体模块具有:基底部,其具有多个半导体元件以及对所述多个半导体元件进行冷却的冷却器;壳体部,其安装于所述基底部,划定出配置所述多个半导体元件的空间;第一突起部,其具有通过自身的中心的第1方向的尺寸和与所述第1方向交叉且通过所述中心的第2方向的尺寸不同的形状,自所述壳体部朝向所述基底部所配置的那一侧突出;以及贯通孔,其比所述第一突起部的外周大,并且具有沿所述第一突起部的所述外周的形状的开口,通过贯通所述基底部而形成,供所述第一突起部插入。2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述壳体部具有:侧壁,其与所述基底部的侧面相对;以及第二突起部,其自所述壳体部的侧壁朝向所述基底部的侧面突出。3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述基底部和所述壳体部分别具有矩形状的外形,所述壳体部的侧壁具有相对配置的一对短边部和架设于所述一对短边部的两端部且...

【专利技术属性】
技术研发人员:井上大辅
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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