【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于衬底处理的边缘环装置
技术介绍
等离子体处理的进步驱动了半导体工业的增长。由于半导体工业的高度竞争特性，器件制造商想要使产量最大化并高效地利用衬底上能够获得的表面。在衬底的等离子 体处理过程中，需要控制多个参数以确保处理的器件的高产量。有缺陷的器件的通常原因 是缺乏衬底处理过程中的一致性。可能影响一致性的因素是衬底边缘效应。有缺陷的器件 的另一个原因可能是由于在转移过程中聚合物副产品从一个衬底的后部脱落，落到另一个衬底上。 当前的制造技术面临着对更高性能器件的需要、进一步减少衬底特征尺寸的压力 以及更新的最优衬底材料的实现的挑战。例如，保持更大的衬底(例如，> 300毫米)上从 中心到边缘的一致性或处理结果变得越来越困难。通常，对于给定的特征尺寸，随着衬底的 尺寸变得更大，边缘附近衬底上的器件的数量增加。同样地，对于给定的衬底尺寸，随着器 件的特征尺寸的减小，边缘附近衬底上的器件的数量增加。例如，通常，衬底上的器件总数 的20%以上位于衬底的圆周附近。 图1显示了具有单一热边缘环的电容耦合等离子体处理系统的简图。通常，通过 电容耦合，由源射频发生器112产生的...
【技术保护点】
一种在等离子体处理室中处理衬底的方法，所述衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕，所述第一边缘环被从所述卡盘电性绝缘，包含：提供第二边缘环，所述第二边缘环被置于所述衬底的边缘下方；以及提供耦合环，其中所述耦合环被配置为协助从ＥＳＣ（静电卡盘）组件到所述第一边缘环的射频耦合，由此使得在衬底处理过程中所述第一边缘环具有边缘环电势，并使得在所述衬底处理过程中所述射频耦合在所述第一边缘环被最大化并在所述第二边缘环被最小化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉金德尔德辛德萨，阿列克谢马拉赫塔诺夫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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