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提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕。该第一边缘环被从该卡盘电性绝缘。该方法包括提供第二边缘环。该第二边缘环被置于该衬底的边缘下方。该方法进一步包括提供耦合环。该耦合环被配置为协助从ＥＳＣ（静电卡...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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