【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及以薄膜晶体管(TFT)为代表的绝缘栅极型场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
近年来,作为替代迄今为止一直使用的CRT的显示装置,以液晶显示器(LCD)和EL显示器为代表的平板显示器(FPD)格外引人注目。特别是对于液晶面板厂家而言,安装有源矩阵驱动的大型液晶面板的大屏幕液晶电视机的开发成为应该关注的重要课题。薄膜晶体管(TFT)作为开关元件在有源矩阵驱动的液晶面板上形成。以往制作薄膜晶体管等电路图案时采用利用真空处理进行成膜以及光刻法。成膜是利用真空泵使处理室内部处于减压状态的条件下堆积薄膜的方法,有CVD(化学汽相淀积;Chemical Vapor Deposition)法、溅射法、蒸镀法等方法。光刻法是利用曝光装置制作抗蚀剂掩模,对不被抗蚀剂掩模保护的部分的薄膜进行蚀刻从而将薄膜做成所希望的形状的技术。真空处理过程中,将被处理衬底输送到处理室内,将处理室内抽真空之后进行成膜、蚀刻、灰化燥等处理。为了将处理室内抽真空,需要抽气单元。排气单元由设置在处理装置外部的以涡轮分子泵或旋转式泵、干式泵等为代表的泵、对它们进行管理、控制的单元、以及使泵 ...
【技术保护点】
一种显示装置的制造方法,其特征在于,从具有液滴喷射孔的喷头喷射感光性树脂,通过移动所述喷头或被处理基板,在所述被处理基板上形成的被覆膜上形成感光性树脂图案,在将所述感光性树脂图案作为掩模对所述被覆膜进行蚀刻之后,有选择地使所述感光性 树脂图案灰化,使所述被覆膜形成图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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