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在采用已有的光刻法的配线制作工序中，抗蚀剂、配线材料、以及等离子体处理时所需要的处理气体等大量浪费。另外，由于需要真空装置等抽气单元，整个装置大型化，因此伴随处理衬底大型化制作成本增加。因此，应用将抗蚀剂和配线材料做成液滴直接喷射在衬底上的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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