【技术实现步骤摘要】
本专利技术系与纳米碳管有关s尤其系指一种使用金属镀层处理剂在纳米碳 管进行金属镀层的方法。
技术介绍
纳米碳管(Carbon Nanotube; CNT )是日本NEC资深研究员饭岛澄男(Sum i o Iijiraa)教授在公元1991年以电弧放电法制备C60时,用穿透式电子显微镜 观察碳的团簇时意外发现的。依据不同的成长方式,纳米碳管的型态一般分 为直怪是数个纳米的单层纳米碳管,以及直怪是数十个纳米的多层纳米碳管, 这两者的管壁厚度仅数个纳米。根据碳原子在纳米碳管中的排列结构不同, 可得具半导体或导体特性的纳米碳管,这让它不仅可使用在场发射显示器,更可应用在储氢材料、生物医学、晶体管等方面。在众多的显示技术中,场 发射显示器(Field Emission Display; FED)号称是最有机会取代LCD的新 技术。FED的技术原理类似传统的阴极射线管(Cathode-Ray Tube; CRT), 因此具有较小的启动电压与较高的电流密度;而场发射原理为利用电极尖端 曲率半怪小,电子容易射出, 一般的电子枪亦是利用此原理打出电子;因此 纳米碳管场发射显示器的 ...
【技术保护点】
一种纳米碳管之金属镀层方法,其包括下列步骤: 提供适量的奈米碳管; 将前述奈米碳管置放于分散液以及金属镀层处理剂中,并利用超音波震荡使奈米碳管个别分散均匀; 进行无电镀层,得到该金属镀层之奈米碳管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王裕民,徐志宗,
申请(专利权)人:富士康昆山电脑接插件有限公司,鸿海精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。