一种电路板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种电路板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板中形成贯通孔；在所述基板的两侧表面以及所述贯通孔的内壁表面电镀形成第一导电膜，在形成所述第一导电膜的过程中，在所述第一导电膜的表面残留有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理，去除所述有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理之后，对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理，以增加所述第一导电膜的表面的粗糙度；进行第一刻蚀处理之后，在所述第一导电膜上粘贴感光干膜。本发明专利技术提供的电路板的制备方法能够提高导电膜与感光干膜的结合力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种电路板的制备方法


[0001]本专利技术涉及电路板生产
，具体涉及一种电路板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子信息产品往小型化、功能多样化发展，电子信息产品使用的电路板的配线密度及均匀性也越来越高，电路板的线路加工难度也越来越难，对电路板的线路检查也越来越严格。在保护膜贴合前会通过自动光学检测仪检查电路板的线路，将有缺陷的电路板挑出。自动光学检测仪是通过摄像头自动扫描电路板来采集图像，将光源从测试的电路板的线路表面反射到自动光学检测仪的量与自动光学检测仪的数据库中设定的标准值进行比较和分析，检查出电路板上的线路缺陷，并通过自动标记及显示器把缺陷标示及显示出来，供人员确认及修整。在此过程中，电路板的线路表面的亮度均匀性、粗糙度及洁净度都会影响扫描结果，产生误判致使假点太多，增加人员确认的工作量。
[0003]现有的电路板在形成导电膜后，导电膜的表面粗糙度小，亮度大，在导电膜上粘贴感光干膜时，感光干膜与导电膜的表面结合力较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中感光干膜与导电膜的表面结合力较差的缺陷，从而提供一种电路板的制备方法。
[0005]本专利技术提供一种电路板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板中形成贯通孔；在所述基板的两侧表面以及所述贯通孔的内壁表面电镀形成第一导电膜，在形成所述第一导电膜的过程中，在所述第一导电膜的表面残留有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理，去除所述有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理之后，对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理，以增加所述第一导电膜的表面的粗糙度；进行第一刻蚀处理之后，在所述第一导电膜上粘贴感光干膜。
[0006]可选的，还包括：对所述感光干膜进行曝光处理；进行曝光处理之后，对所述感光干膜进行显影处理；对所述感光干膜进行显影处理之后，以所述感光干膜为掩膜对所述第一导电膜进行第二刻蚀处理，使得所述第一导电膜形成导电图形层。
[0007]可选的，所述曝光处理采用紫外线照射或蓝光照射。
[0008]可选的，所述显影处理采用Na2CO3溶液，所述Na2CO3的质量百分比浓度为0.8％
‑
1.05％，温度为28℃
‑
32℃，或者，所述显影处理采用K2CO3溶液，所述K2CO3的质量百分比浓度为0.8％
‑
1.05％，温度为28℃
‑
32℃。
[0009]可选的，所述第二刻蚀处理采用CuCl2、HClO和HCl的混合溶液。
[0010]可选的，进行所述烘烤处理的过程中，还形成第一氧化保护膜，所述第一氧化保护膜位于所述有机膜和所述第一导电膜之间；所述第一刻蚀处理还去除了所述第一氧化保护膜。
[0011]可选的，所述第一刻蚀处理采用H2SO4和H2O2的混合溶液，所述H2SO4的质量百分比
浓度为3％
‑
5％，所述H2O2的质量百分比浓度为3％
‑
5％，温度为26℃
‑
30℃。
[0012]可选的，对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理之后，所述第一导电膜的表面的粗糙度为0.1um
‑
0.3um。
[0013]可选的，进行第二刻蚀处理之后，对所述感光干膜进行碱洗处理，以去除所述感光干膜。
[0014]可选的，所述碱洗处理采用NaOH溶液，所述NaOH的质量百分比浓度为3％
‑
5％，温度为45℃
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55℃。
[0015]可选的，还包括：进行碱洗处理之后，所述第一导电膜的表面氧化形成第二氧化保护膜；对所述第二氧化保护膜进行第三刻蚀处理，去除所述第二氧化保护膜。
[0016]可选的，所述第三刻蚀处理采用H2SO4和H2O2的混合溶液，所述H2SO4的质量百分比浓度为3％
‑
5％，所述H2O2的质量百分比浓度为3％
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5％，温度为26℃
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30℃。
[0017]可选的，所述烘烤处理的温度为110℃
‑
130℃，时间为20min
‑
30min。
[0018]可选的，还包括：在所述第一导电膜上粘贴感光干膜之后，对所述感光干膜进行曝光处理之前，进行第一静置处理。
[0019]可选的，所述第一静置处理的时间为1h
‑
2h。
[0020]可选的，还包括：对所述感光干膜进行曝光处理之后，对所述感光干膜进行显影处理之前，进行第二静置处理。
[0021]可选的，所述第二静置处理的时间为0.5h
‑
1h。
[0022]可选的，在所述基板的两侧表面以及贯通孔的内壁表面电镀形成第一导电膜之前，在所述贯通孔的内壁表面形成第二导电膜。
[0023]可选的，所述第二导电膜的材料包括碳或铜。
[0024]可选的，形成所述第二导电膜的步骤包括：在所述基板的两侧表面以及所述贯通孔的内壁表面形成第二初始导电膜；去除所述基板的两侧表面的第二初始导电膜，形成所述第二导电膜。
[0025]可选的，形成第二初始导电膜的工艺包括黑孔工艺或沉积工艺。
[0026]可选的，在所述基板中形成贯通孔的工艺包括机械钻孔工艺或激光钻孔工艺。
[0027]本专利技术的上述技术方案具有以下有益效果：
[0028]本专利技术技术方案提供一种电路板的制备方法，在所述基板的两侧表面以及所述贯通孔的内壁表面电镀形成第一导电膜，所述贯通孔的内壁表面的第一导电膜能够实现所述基板的两侧表面的第一导电膜之间的电连接。电镀形成所述第一导电膜的过程中，电镀液在所述第一导电膜的表面残留有机膜。由于对所述有机膜进行烘烤处理，使得所述有机膜在高温下气化，使得所述有机膜去除，这样有利于对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理，第一刻蚀处理能更好的增加所述第一导电膜的表面的粗糙度，从而提高所述第一导电膜与所述感光干膜的结合力。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前
提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本专利技术实施例中电路板的制备方法的流程示意图；
[0031]图2
‑
12为本专利技术实施例中电路板的制备方法的结构示意图；
[0032]附图标记：
[0033]1‑
基板；11
‑
绝缘基层；12
‑
第一导电基层；13
‑
第二导电基层；2
‑
贯通孔；3
‑
第二导电膜；4
‑
第一导电膜；51
‑
第一感光干膜；52
‑
第二感光干膜。
具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路板的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板中形成贯通孔；在所述基板的两侧表面以及所述贯通孔的内壁表面电镀形成第一导电膜，在形成所述第一导电膜的过程中，在所述第一导电膜的表面残留有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理，去除所述有机膜；对所述有机膜进行烘烤处理之后，对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理，以增加所述第一导电膜的表面的粗糙度；进行第一刻蚀处理之后，在所述第一导电膜上粘贴感光干膜。2.根据权利要求1所述的电路板的制备方法，其特征在于，还包括：对所述感光干膜进行曝光处理；进行曝光处理之后，对所述感光干膜进行显影处理；对所述感光干膜进行显影处理之后，以所述感光干膜为掩膜对所述第一导电膜进行第二刻蚀处理，使得所述第一导电膜形成导电图形层；优选的，所述曝光处理采用紫外线照射或蓝光照射；优选的，所述显影处理采用Na2CO3溶液，所述Na2CO3的质量百分比浓度为0.8％
‑
1.05％，温度为28℃
‑
32℃，或者，所述显影处理采用K2CO3溶液，所述K2CO3的质量百分比浓度为0.8％
‑
1.05％，温度为28℃
‑
32℃；优选的，所述第二刻蚀处理采用CuCl2、HClO和HCl的混合溶液。3.根据权利要求1所述的电路板的制备方法，其特征在于，进行所述烘烤处理的过程中，还形成第一氧化保护膜，所述第一氧化保护膜位于所述有机膜和所述第一导电膜之间；所述第一刻蚀处理还去除了所述第一氧化保护膜；优选的，所述第一刻蚀处理采用H2SO4和H2O2的混合溶液，所述H2SO4的质量百分比浓度为3％
‑
5％，所述H2O2的质量百分比浓度为3％
‑
5％，温度为26℃
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30℃；优选的，对所述第一导电膜进行第一刻蚀处理之后，所述第一导电膜的表面的粗糙度为0.1um
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0.3um。4.根据权利要求2所述的电路板的制备方法，其特征在于，还包括：进行第二刻蚀处理之后，对所述感光干膜进行碱...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪耀，金长帅，王洪涛，戚文成，刘贺，李晓波，
申请(专利权)人：枣庄睿诺光电信息有限公司，
类型：发明
国别省市：