光掩膜版的制作方法技术

一种光掩膜版的制作方法，包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；当部分形成的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距偏大时，通过选择性形成工艺，选择性的在所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的侧壁表面上形成修正层，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距减小。即本申请中通过选择性形成工艺，可以选择性的在所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的侧壁表面上形成修正层，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距减小，即对间距偏大的两相邻遮蔽图形之间的间距进行了修复。进行了修复。进行了修复。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版的制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能修复异常尺寸或异常间距的光掩膜版的制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]然而，光掩膜版制作过程中很容易在形成的光掩模版中引入缺陷，这些缺陷导致光掩膜版中图形存在误差，例如错误尺寸缺陷(miss sizedefect)，具体为两相邻的遮蔽图形之间的间距偏大或偏小，因此需要对光罩上的缺陷进行修复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；当部分形成的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距偏大时，通过选择性形成工艺，选择性的在所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的侧壁表面上形成修正层，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形之间的间距减小。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述修正层的材料与所述遮蔽层的材料均为不透光的材料。3.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述修正层的材料为不透光的金属。4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述选择性形成工艺包括：使所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形带负电；提供带正电的金属离子，所述带正电的金属离子被吸附到所述带负电的遮蔽图形侧壁表面形成修正层。5.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述使所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形带负电的过程包括：对所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形施加负电压，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形带负电。6.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述使所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形带负电的过程：通过注入工艺向所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形中注入负离子，使得所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形带负电。7.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述选择性形成工艺包括：在形成遮蔽图形之前，在所述透明基板的第一表面上形成导电层；在所述导电层表面上形成多个分立的遮蔽图形；在所述导电层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出所述间距偏大的相邻的两所述遮蔽图形的相对的侧壁表面；将所述导电层连接电源的负极，进行电镀工艺在所述暴露的侧壁表面上形成修正层；去除所述掩膜层，保留所述相移层，并去除遮蔽图形两侧的导电层保留所述遮蔽图形和修正层底部的导电层。8.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述选择性形成工艺包括：在形成遮蔽图形之前，在所述透明基板的第一表面上形成第一遮蔽层，所述第一遮蔽层用于形成部分遮蔽图形并作为导电层；在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：