【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，尤其涉及一种掩模版载台。
技术介绍
1、在半导体和微电子制造领域中，掩模版的精确制造对于保证最终产品性能而言至关重要。掩模版是光刻过程中将电路图案转移到硅片上的载体。在制造掩模版的过程中，涉及多个湿法工艺步骤。在传统的湿法工艺中，涉及到的步骤包括显影、湿法蚀刻、清洗、光阻剥离。这些步骤通常采用单片掩模版的旋转式工艺方式。旋转式工艺方式就是将掩模版固定在平台上并使其以一定的转速旋转，同时将液体喷洒在掩模版表面。因此，液体在掩模版表面覆盖的均匀性是影响工艺能力的重要指标。
2、请参阅图1，其为现有技术中喷淋液体时掩模版20逆时针旋转的示意图。液体滴落在掩模版20上，其在掩模版20上的流动方向如图中箭头所示，由于掩模版为正方形结构，则随着掩模版20的旋转，液体在其内切圆范围(如图1中虚线框a所圈示的区域)内分布均匀，且作用时间较为均匀，但液体在其内切圆范围外的区域，例如四角区域(如图中箭头b所指示的区域)的分布较少，作用时间则相对减少，导致四角区域相较于其内切圆范围内在湿法工艺处理上存在差异，进而影响了掩
【技术保护点】
1.一种掩模版载台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，所述挡板的长度是所述掩模版侧边长度的30％～70％。
3.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，所述挡板的宽度为2毫米～10毫米。
4.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，当将所述掩模版放置在所述掩模版载台上时，所述挡板位于所述掩模版各个侧边的中心位置。
5.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，当将所述掩模版放置在所述掩模版载台上时，所述挡板与所述掩模版的侧面之间具有间隙。
6.根据权利要求5所述的掩...
【技术特征摘要】
1.一种掩模版载台，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，所述挡板的长度是所述掩模版侧边长度的30％～70％。
3.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，所述挡板的宽度为2毫米～10毫米。
4.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，当将所述掩模版放置在所述掩模版载台上时，所述挡板位于所述掩模版各个侧边的中心位置。
5.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，当将所述掩模版放置在所述掩模版载台上时，所述挡板与所述掩模版的侧面之间具有间隙。
6.根据权利要求5所述的掩模版载台，其特征在于，所述间隙的宽度为1毫米～5毫米。
7.根据权利要求1所述的掩模版载台，其特征在于，所述挡板在其朝向所述掩模版放置区域的一侧设有倾斜的斜面。
8.根据权利要求7所述的掩模版载台，其特征在于，所述斜面的低位与所述掩模版的上表面齐平，所述斜面的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，黄金，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：
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